[发明专利]半导体器件和用于制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一层间绝缘膜，其中包含多个孔隙；

第一线结构，在所述第一层间绝缘膜中；

插入绝缘膜，沿着所述第一层间绝缘膜的上表面延伸并与所述第一层间绝缘膜接触；

阻挡绝缘膜，与所述插入绝缘膜接触并沿着所述插入绝缘膜的上表面和所述第一线结构的上表面延伸；

第二层间绝缘膜，在所述阻挡绝缘膜上；以及

第二线结构，在所述第二层间绝缘膜中并连接到所述第一线结构。

2.根据权利要求1所述的器件，其中

所述第一线结构包括阻挡导电膜和在所述阻挡导电膜上的填充导电膜，以及

所述插入绝缘膜不沿着所述填充导电膜的上表面延伸。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述插入绝缘膜包括硅氧化物、硅碳氧化物和硅氧碳氮化物中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的器件，其中所述插入绝缘膜包括金属。

5.根据权利要求4所述的器件，其中包括在所述插入绝缘膜中的所述金属是铝(Al)。

6.根据权利要求1所述的器件，其中

所述第一线结构包括阻挡导电膜和在所述阻挡导电膜上的填充导电膜，以及

所述阻挡绝缘膜与所述填充导电膜的上表面接触。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一线结构包括阻挡导电膜、在所述阻挡导电膜上的填充导电膜和沿着所述填充导电膜的上表面延伸的覆盖导电膜。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述多个孔隙中的至少一些的每个包含氮残留。

9.根据权利要求8所述的器件，其中

所述多个孔隙包括其中具有所述氮残留的第一孔隙和其中没有所述氮残留的第二孔隙，以及

所述第二孔隙比所述第一孔隙更靠近所述插入绝缘膜。

10.根据权利要求8所述的器件，其中

所述多个孔隙包括第一孔隙和第二孔隙，所述第二孔隙中的氮浓度低于所述第一孔隙中的氮浓度，以及

所述第二孔隙比所述第一孔隙更靠近所述插入绝缘膜。

11.根据权利要求1所述的器件，其中

所述阻挡绝缘膜包括硅氮化物和硅碳氮化物中的至少一种，以及

所述阻挡绝缘膜与所述第二层间绝缘膜接触。

12.一种半导体器件，包括：

第一层间绝缘膜，其中包含多个孔隙；

在所述第一层间绝缘膜中的第一线结构，所述第一线结构包括布线和连接到所述布线的通路；

插入绝缘膜，在所述第一层间绝缘膜上并包括基于硅氧化物的材料；

阻挡绝缘膜，在所述插入绝缘膜上并包括基于硅氮化物的材料，所述阻挡绝缘膜覆盖所述布线的上表面；

在所述阻挡绝缘膜上的第二层间绝缘膜；以及

第二线结构，在所述第二层间绝缘膜中并连接到所述第一线结构，

其中所述第一层间绝缘膜包括，

沿着所述第一层间绝缘膜的上表面延伸的第一受损区；以及

沿着所述布线的侧壁延伸的第二受损区，以及

其中所述第二受损区的厚度大于所述第一受损区的厚度。

13.根据权利要求12所述的器件，其中

所述第一线结构包括阻挡导电膜和在所述阻挡导电膜上的填充导电膜，以及

所述插入绝缘膜不沿着所述填充导电膜的上表面延伸。

14.根据权利要求12所述的器件，其中所述插入绝缘膜包括铝(Al)。