[发明专利]基于易失性阈值阻变忆阻器的自适应人工脉冲神经元电路有效

专利信息
申请号: 202310149554.7 申请日: 2023-02-22
公开(公告)号: CN115906961B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 杨玉超;张柏骏;袁锐;黄如 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G06N3/06 分类号: G06N3/06;G06N3/063;G11C13/00
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 李稚婷
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 易失性 阈值 阻变忆阻器 自适应 人工 脉冲 神经元 电路
【权利要求书】:

1.一种自适应人工脉冲神经元电路,其特征在于,包括两个部分:第一个部分是基于易失性阈值阻变忆阻器的LIF电路,第二个部分是自适应控制电路;所述LIF电路由一个易失性阈值阻变忆阻器串联一个读出电阻R1,再并联一个模拟膜电容的电容C1组成;LIF电路接受输入刺激时进行电荷积累,并在达到发放阈值时发放一个电压脉冲,将这个电压脉冲反馈输入自适应控制电路以提高控制电压,被提高的控制电压使得LIF电路中的泄漏电流增加,从而使得LIF电路的电荷积累变得困难,即LIF电路的兴奋性得到抑制,产生自适应行为。

2.如权利要求1所述的自适应人工脉冲神经元电路,其特征在于,所述易失性阈值阻变忆阻器一端与电容C1连接的节点为膜电位Vm节点,另一端与电阻R1连接的节点为输出脉冲Vspike节点,电阻R1和电容C1的另一端均接地;所述自适应控制电路由两个NMOS晶体管M1M3,一个PMOS晶体管M2,两个电阻R2R3和一个电容C2组成,其中:电阻R2和NMOS晶体管M1构成一个共源极放大器,即M1的源电极连接地,栅电极为放大器输入,漏电极连接R2并且为放大器输出,R2的另一端连接工作电压Vdd,放大器的输入连接LIF电路的Vspike节点,输出连接PMOS晶体管M2的栅电极;M2为电流源,其源电极连接工作电压Vdd,漏电极连接电阻R3和自适应电容C2,电阻R3和电容C2为并联关系,一端连接PMOS晶体管M2的漏电极,另一端连接地;同时,电阻R3、电容C2和PMOS晶体管M2漏电极共同连接的节点为自适应控制信号Vg节点,连接到NMOS晶体管M3的栅电极,用以控制NMOS晶体管M3的开启状态;NMOS晶体管M3的漏电极和源电极分别连接Vm节点和地;且所述自适应人工脉冲神经元电路需要满足条件:R3×C2大于(R1+RC1,其中R为易失性阈值阻变忆阻器的高阻态电阻值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310149554.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top