[发明专利]一种N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池，其特征在于，包括硅底电池和N-I-P型钙钛矿顶电池，所述N-I-P型钙钛矿顶电池的空穴传输层的材料为Cross-linked小分子材料。

2.根据权利要求1所述的N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述Cross-linked小分子材料选自TCTA-BVP、V-p-TPD、VNPB中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为20～50nm。

4.根据权利要求1所述的N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池，其特征在于，所述N-I-P型钙钛矿顶电池包括依次设置在所述硅底电池上的电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层、缓冲层、透明导电氧化物和金属电极。

5.一种如权利要求1-4任一所述的N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在洁净的硅底电池表面沉积电子传输层；

S2、在电子传输层表面旋涂钙钛矿前驱体溶液，退火处理后形成钙钛矿吸光层；

S3、在钙钛矿吸光层表面沉积空穴传输层；

S4、在空穴传输层表面沉积缓冲层；

S5、在缓冲层表面沉积透明导电氧化物；

S6、在透明导电氧化物上沉积金属电极。

6.根据权利要求5所述的N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述S3具体包括：在钙钛矿吸光层表面旋涂cross-linked小分子材料溶液，退火使其交联，形成空穴传输层。

7.根据权利要求6所述的N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，旋涂转速为2500～4000rpm，退火温度为100～200℃，时间为5～15min。

8.根据权利要求5所述的N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，旋涂转速为3000～4000rpm，退火温度为80～120℃，时间为20～30min。

9.根据权利要求5所述的N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：将SnO₂分散液采用旋涂工艺沉积在洁净硅底电池上，加热形成SnO₂薄膜，将C₆₀氯苯分散液旋涂在SnO₂薄膜上，并用氯苯冲洗多次，形成电子传输层。

10.根据权利要求5所述的N-I-P钙钛矿/硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括：采用热蒸镀法在空穴传输层表面沉积氧化钼薄膜，形成缓冲层。