[发明专利]一种Micro LED芯片及其制备方法和Micro LED显示器件及其制备方法

权利要求书

1.一种MicroLED显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一外延片；所述外延片包括生长衬底以及形成于所述生长衬底上的外延发光层，所述外延发光层包括沿远离所述生长衬底方向上依次堆叠的N-GaN层、发光层和P-GaN层；

S2、在所述P-GaN层的表面形成第一ITO膜层；

S3、在所述第一ITO膜层表面沉积第一绝缘层；

S4、在所述第一绝缘层上形成若干个周期性排列的凹孔，所述凹孔贯穿所述第一绝缘层；

S5、在所述凹孔中形成P电极金属柱，以形成MicroLED芯片；

S6、将所述P电极金属柱与所述CMOS驱动芯片上的正电极金属层连接，以实现MicroLED芯片与CMOS驱动芯片的键合；

S7、去除所述生长衬底；

S8、将所述N-GaN层减薄；

S9、在所述外延片上形成分割槽，所述分割槽贯穿所述N-GaN层、发光层和P-GaN层以间隔形成多个LED像素点，每个LED像素点与对应的所述正电极金属层对齐，并且每个所述LED像素点分别对应若干个所述P电极金属柱。

2.根据权利要求1所述的MicroLED显示器件的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，所述的在所述第一绝缘层上形成若干个周期性排列的凹孔，具体包括：

在所述第一绝缘层表面形成图形化的光刻胶；

以所述图形化的光刻胶为掩模，对所述第一绝缘层进行刻蚀，以在所述第一绝缘层中形成纳米级别尺寸且周期性排布的圆形凹孔。

3.根据权利要求1所述的MicroLED显示器件的制备方法，其特征在于，在步骤S5中，所述的在所述凹孔中形成P电极金属柱，具体包括：

在所述凹孔中蒸镀金属层，以形成P电极金属柱；

去除剩余的光刻胶。

4.根据权利要求1所述的MicroLED显示器件的制备方法，其特征在于，在步骤S9之后还包括：

S10、在所述MicroLED芯片的表面和侧面均沉积第二绝缘层，将若干的所述LED像素点之间通过所述第二绝缘层隔开；

S11、在所述N-GaN层表面的第二绝缘层开窗口，所述窗口贯穿该第二绝缘层至所述N-GaN层；

S12、在所述MicroLED芯片的表面和侧面依次沉积第二ITO膜层；

S13、在所述第一ITO膜层的表面形成N电极金属导电层，若干的所述像素点的N-GaN层分别通过若干的所述N电极金属导电层与所述CMOS驱动芯片上的负电极金属层连接。

5.根据权利要求4所述的MicroLED显示器件的制备方法，其特征在于，在步骤S13中，若干的所述像素点的N-GaN层并联。

6.一种MicroLED显示器件，其特征在于，包括MicroLED芯片和CMOS驱动芯片，所述MicroLED芯片包括依次堆叠的第一绝缘层、第一ITO膜层以及所述MicroLED芯片与CMOS驱动芯片键合后分割出的若干像素点，所述第一绝缘层中分布多个P电极金属柱，所述CMOS驱动芯片包括若干正电极金属层，每一所述正电极金属层分别与若干的所述P电极金属柱电连接，以使所述MicroLED芯片与CMOS驱动芯片键合；

所述的若干像素点间隔设置在所述第一ITO膜层上，所述正电极金属层与所述像素点一一对应设置。

7.根据权利要求6所述的MicroLED显示器件，其特征在于，所述第一绝缘层上形成若干个周期性排列的凹孔，所述凹孔贯穿所述第一绝缘层，所述P电极金属柱位于所述凹孔中。

8.根据权利要求7所述的MicroLED显示器件，其特征在于，所述凹孔的尺寸为纳米级，且若干的所述凹孔呈周期性排布，若干的所述P电极金属柱呈光子晶体结构状排布。