[发明专利]一种上颌窦底提升装置

说明书

本发明涉及一种上颌窦底提升装置，其解决了现有技术中由于窦底骨板厚薄不一、上抬不均匀从而刺破窦底黏膜导致手术失败或者术后植入物感染的技术问题，其设有超声骨刀、B超装置、连接头和水路系统；所述超声骨刀设有主机、高频超声振荡换能器和提升头，所述提升头由所述高频超声振荡换能器驱动；所述提升头分为多瓣，所述每一瓣提升头上设有出水口；所述B超装置设有B超探头，所述B超探头设于所述提升头上；所述连接头设有水囊，所述水囊内可注水、泄水。本发明可用于口腔上颌后牙区种植体植入手术中。

技术领域

本发明涉及一种口腔手术器械，具体地说，涉及一种上颌窦底提升装置。

背景技术

目前，在口腔上颌后牙区种植体植入手术中，经常遇到口腔上颌后牙区垂直骨量不足的问题，从而限制上颌后牙区种植操作。

Jensen等人将上颌窦底剩余骨高度(residual bone height，RBH)分成4类：一类，RBH10mm骨量正常；二类，7mm≤RBH≤9mm剩余骨高度轻度不足；三类，4mm≤RBH≤6mm剩余骨高度中度不足；四类，RBH4mm剩余骨高度严重不足。

目前普遍认为，RBH＜10mm即为垂直骨量不足，需要行上颌窦底提升术，方能保证种植体远期成功率。

根据手术入路的不同，上颌窦底提升技术目前分为：上颌窦侧壁开窗法(lateralwindow technique，LWT)和经牙槽突上颌窦底提升法(trans-alveolar technique，TT)两种方法。

LWT法(又称为上颌窦底外提升术)适用于上颌后牙区RBH小于6mm以及上颌窦底解剖形态复杂、不规则等临床病例。但其最大的缺点在于手术创伤较大、并发症较多，对医生的临床经验及操作细节有很高的要求。最常见的并发症包括：行上颌窦侧壁开窗时，损伤上牙槽后动脉骨内段，引起大出血；分离上颌窦黏膜时，操作不当或解剖困难导致上颌窦底黏膜穿孔，而造成手术失败等等。

TT法(又称为上颌窦底内提升术)是经牙槽嵴顶部入路，不用上颌窦外侧壁开窗，通过备洞穿过牙槽嵴后，在上颌窦底将上颌窦底黏膜上抬，创造植骨成骨空间，保证植入种植体的长度需求及最终的长期稳定性。与LWT技术相比，TT法具有手术创伤小、技术敏感性较低、术后恢复快等优点。但目前普遍观点认为TT法仅适用于RBH≥于6mm以及上颌窦底平坦的临床病例。

因个体发育原因，上颌窦底形态各异，通常分为“U型”、“V型”、“W型”及不规则型。目前限制TT技术应用的主要因素是：除平坦的窦底形态外，“V型”、“W型”及不规则型窦底患者在实施TT技术时，均可能出现窦底黏膜破裂；其原因是上颌窦底内提升术所使用的Summer骨凿末端平齐，无法适应个性化的窦底骨壁形态及厚度，造成冲顶过程中薄的一端窦底骨壁上翘，刺破窦底黏膜造成手术失败。

除此之外，即便成功上抬局部窦底黏膜，后续使用普通外科剥离器械，也无法完成不规则窦底黏膜的充分剥离，以创造充足的植骨空间，这也是目前困扰TT技术的痛点问题。

公开号为CN111494059A的中国发明专利申请公开了一种用于牙种植上颌窦底提升及充填的装置，包括由蘑菇型黏膜分离提升头A、具有刻度的提升管、可移动硅胶环和软管构成的提升器以及由蘑菇型黏膜分离提升头B和材料注射器构成的充填器。其利用提升器不直接冲击黏膜，而对四周黏膜给予分离提升的冲击力，以将上颌窦底黏膜分离且往窦腔提升，配套的充填器可以调整植入材料的位置与提升器提升高度一致，安全植入骨移植材料，而不对顶端造成过大的压力，避免了传统手术方法中的缺点，大大提高了上颌窦底提升手术的安全性。

但是，上述装置存在如下问题：

(1)上述装置虽然包括提升和充填装置，但不具备骨切割功能，仍需预先使用传统先锋钻和扩孔钻进行窝洞预备，然后再使用上述发明进行操作，过程冗繁；