[发明专利]一种集成型低温度系数的薄膜电阻及制作方法

说明书

本发明涉及一种集成型低温度系数的薄膜电阻及制作方法，包括NTC薄膜电阻和PTC薄膜电阻，NTC薄膜电阻下方设置有衬底，NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻之间设置有绝缘介质层，NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻均设置有电接触点，NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻通过电接触点串联接线；所述NTC薄膜电阻、PTC薄膜电阻和绝缘介质层均为薄膜结构。借助于掩膜光刻技术分别对NTC薄膜电阻、绝缘介质层以及PTC薄膜电阻进行图案化制作。本发明采用了薄膜电阻结构，并将NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻串联起来，通过调整两者的图案的尺寸使两者的温度系数相互抵消，获得具有低温度系数的复合的薄膜电阻。

技术领域

本发明涉及薄膜电阻技术领域，具体涉及一种集成型低温度系数的薄膜电阻及制作方法。

背景技术

随着集成电路技术的进步和器件尺寸的逐渐缩小，对于集成电路中的电阻提出了更高的要求，薄膜电阻逐渐进入人们的视野。薄膜电阻是一种集成度高、体积小的芯片式薄膜电器元件，广泛被用于航空航天、汽车电子、医疗设备、导航系统、智能手机等领域。为应对高低温、潮湿环境等恶劣环境的影响，同时也为面向更高精密器件的应用需求，对于低温度系数薄膜电阻的研制是至关重要的。

现有的薄膜电阻如中国专利公开号为CN107993782A中所公开的一种低电阻温度系数的复合薄膜制备方法，该发明通过依次在基底上沉积温度系数相反的两种合金材料，再经热处理形成复合薄膜。该电阻结构能够灵活调节电阻温度系数，精度相对较高，然而两种合金在热处理过程中易发生反应，导致其物理性质易被改变，以至于这两种具有相反的温度系数的合金材料的选择具有较大的局限性，不具有普适性。

又如中国专利公开号为CN110164640A中所公开了一种高精度电阻温度系数组合电阻及其制造方法，该发明通过将具有低温度系数的绕线电阻和具有较高温度系数的薄膜电阻并联形成一个具有相对较低的温度系数的组合电阻。这种方法相对成本较低，然而该组合电阻的温度系数受到绕线电阻的温度系数的限制，且集成度不高。

如中国专利公开号为CN113096905A中公开报道了一种低温度系数合金贴片电阻制备工艺，该发明通过锰铜或卡玛拼接带冲切成目标引脚缺口间距的直条，再将该直条折弯成型以获取低温度系数合金片电阻。该合金贴片电阻的制作成本较低，简单方便，但是温度系数优化效果有限，且集成度不高。

为优化薄膜电阻的温度系数，并使其拥有良好的适用性亟需一种集成型低温度系数的薄膜电阻。

发明内容

本发明为了解决现有薄膜电阻适用性差温度系数高的问题，提供了一种集成型低温度系数的薄膜电阻，采用了薄膜电阻结构，并将NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻串联起来，通过调整两者的图案的尺寸使两者的温度系数相互抵消，获得具有低温度系数的复合的薄膜电阻。

为了实现上述目的，本发明的第一方面提出一种集成型低温度系数的薄膜电阻，包括NTC(NTC，Negative Temperature Coefficient)薄膜电阻和PTC(PTC，PositiveTemperature Coefficient)薄膜电阻，所述NTC薄膜电阻设置有NTC薄膜电阻电学信号引出点，所述PTC薄膜电阻设置有PTC薄膜电阻的电学信号引出点，NTC薄膜电阻下方设置有衬底，衬底用于支撑NTC薄膜电阻；

NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻之间设置有绝缘介质层，NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻均设置有电接触点，NTC薄膜电阻与PTC薄膜电阻通过电接触点串联接线；

所述NTC薄膜电阻、PTC薄膜电阻和绝缘介质层均为薄膜结构。

NTC薄膜电阻、PTC薄膜电阻和绝缘介质层均为薄膜结构，集成度高。

利用NTC薄膜电阻和PTC薄膜电阻两者彼此相反的温度系数，以减小复合薄膜电阻温度系数，达到整体复合薄膜电阻温度系数低的效果。

进一步地，所述衬底为硅基、玻璃或聚酰亚胺的中的一种材质制成。