[发明专利]一种提高NbN薄膜超导性能的离子辐照方法在审
| 申请号： | 202310160106.7 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116322280A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 彭发宏;高波;高锋 | 申请（专利权）人： | 安徽超导能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01 |
| 代理公司： | 合肥橙派知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34219 | 代理人： | 梅恒 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新区皖水*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 nbn 薄膜 超导 性能 离子 辐照 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高NbN薄膜超导性能的离子辐照方法，其特征在于：具体步骤如下：
S1、使用离子辐照技术，选择Kr15+、N1+和H1+离子的某一个离子束垂直照射NbN薄膜；
S2、通过控制离子束流大小和辐照时间来调整作用在NbN薄膜上的辐照剂量。
2.根据权利要求1所述的一种提高NbN薄膜超导性能的离子辐照方法，其特征在于：所述NbN超导薄膜是通过磁控溅射在基底上沉积获得，其厚度范围为100nm-400nm。
3.根据权利要求1所述的一种提高NbN薄膜超导性能的离子辐照方法，其特征在于：所述Kr15+、N1+和H1+离子的能量分别是3750keV、15keV和300keV。
4.根据权利要求1所述的一种提高NbN薄膜超导性能的离子辐照方法，其特征在于：所述Kr15+、N1+和H1+离子的辐照剂量范围分别为1×1013-1×1015ions/cm2、5×1012-1×1015ions/cm2和5×1014-2×1016ions/cm2。
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