[发明专利]基于Ga2

权利要求书

1.一种基于Ga₂O₃薄膜-PdTe₂颗粒/Si杂化异质结的自驱动日盲紫外光电探测器，其特征在于：包括金属In点电极、金属Pd前电极、Ga₂O₃薄膜-PdTe₂颗粒薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极，Ga₂O₃薄膜-PdTe₂颗粒薄膜层设置在Si基底表面，金属Pd前电极在Ga₂O₃薄膜-PdTe₂颗粒薄膜层表面，金属In电极分别压制于金属Pd前电极和Si基底下表面。

2.根据权利要求1所述的一种基于Ga₂O₃薄膜-PdTe₂颗粒/Si杂化异质结的自驱动日盲紫外光电探测器，其特征在于：所述Si基底为p型Si单晶基底，电阻率为0.1～1欧姆·厘米。

3.一种基于Ga₂O₃薄膜-PdTe₂颗粒/Si杂化异质结的自驱动日盲紫外光电探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)切出所需大小Si片，分别用去离子水、丙酮、无水乙醇依次清洗，去除表面污染物；

(2)对清洗完成后的Si基底进行氮气干燥；

(3)将干燥完成的Si基底放入真空腔，在氩气环境下，采用直流磁控溅射技术，利用电离出的氩离子轰击Pd靶材，在Si基底表面沉积约5nm厚的Pd薄膜层；所述Pd靶材为纯度99.99％的高纯靶材，所述氩气气压维持2帕斯卡不变，靶基距为50毫米，薄膜的沉积温度为室温；

(4)将碲粉置于化学气相沉积系统的上游，将步骤(3)得到的样品置于化学气相沉积系统的下游，碲粉被加热到430摄氏度并蒸发成气体。然后用气体将碲蒸气带到下游，在480摄氏度下与Pd薄膜反应，得到正六边形PdTe₂纳米颗粒。

(5)将步骤(3)得到的样品放入真空腔，在氩气环境下，采用射频磁控溅射技术，利用电离出的氩离子轰击Ga₂O₃靶材，在步骤(3)得到的样品表面沉积Ga₂O₃薄膜层；所述Ga₂O₃靶材为Ga₂O₃陶瓷靶，所述氩气气压维持1帕斯卡不变，靶基距为50毫米，薄膜的沉积温度为室温，得到的薄膜厚度约为200纳米；

(6)将步骤(5)得到的样品放入水平管式炉中，在温度为650摄氏度下氮气气氛中热处理，温度上升速率为10摄氏度每分钟，至650摄氏度时保持60分钟，然后自然冷却至室温；

(7)将步骤(6)得到的样品取出，并在表面覆盖掩膜片，然后将样品放入真空腔；采用直流磁控溅射技术，利用电离出的氩离子轰击金属Pd靶材，在Ga₂O₃薄膜层表面沉积金属Pd前电极；所述Pd靶材为Pd金属靶，靶材纯度为99.99％；所述氩气气压维持2帕斯卡不变，靶基距为50毫米，金属Pd薄膜的沉积温度为20～25摄氏度，金属Pd前电极厚度为5～15纳米；

(8)分别在金属Pd前电极和Si基底上完成金属In电极的压制，并引出金属Cu导线，完成器件的制备。

4.根据权利要求3所述的一种基于Ga₂O₃薄膜-PdTe₂颗粒/Si杂化异质结的自驱动日盲紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述Si基底为p型Si单晶基底，尺寸为10毫米×10毫米，电阻率为0.1～1欧姆·厘米；清洗过程如下：将Si基底依次在去离子水、无水乙醇和丙酮溶液中超声清洗，每次清洗的时间长度为10分钟。