[发明专利]一种基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路及方法在审

专利信息
申请号: 202310175784.0 申请日: 2023-02-27
公开(公告)号: CN116208123A 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 田爽;张岚琦;谢彦召;仇杨鑫 申请(专利权)人: 西安热工研究院有限公司;西安交通大学;华能集团技术创新中心有限公司
主分类号: H03K3/011 分类号: H03K3/011;H03K3/335;H03K3/57
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 贺小停
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 前级预 触发 高重频快 脉冲 产生 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路,其特征在于,包括若干级充电电容组成的Marx电路,各级充电电容间设有功率开关,每级充电电容的回路上设有两组隔离电阻与隔离磁珠,首级为外触发级,功率开关通过外部输入脉冲经触发电路陡化后控制,前级电路为预触发级,中间级为集电极过电压导通级,末级为负载单元。

2.根据权利要求1所述的基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路,其特征在于,所述Marx电路首端设置与负载单元等值的电阻,末端设置峰化电容。

3.根据权利要求1所述的基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路,其特征在于,功率开关采用型号为FMMT417型的雪崩三极管。

4.根据权利要求1所述的基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路,其特征在于,所述外触发级包括直流电源UC、保护电阻Rc、隔离电阻Rg、隔离磁珠Zbead、一个雪崩三极管T、防反射电阻Rfl、外触发电容Ct、外触发电阻Rt、充电电容C;直流电源UC先经保护电阻串联Rc后与隔离电阻Rg和隔离磁珠Zbead串联,连接于雪崩三极管的集电极c随后通过雪崩三极管的发射极e与隔离电阻Rg和隔离磁珠Zbead串联回到地;外触发级包含外触发电路,外触发信号输入端与外触发电容Ct、外触发电阻Rt串联,其中外触发电阻Rt跨接于雪崩三极管的基极b和发射极e;外触发级通过雪崩三极管的集电极c与下一级相连。

5.根据权利要求1所述的基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路,其特征在于,所述预触发级包括雪崩三极管T、直流电源UC、保护电阻Rc、隔离电阻Rg、隔离磁珠Zbead、一个雪崩三极管T、充电电容C、预触发电容Cd、预触发电阻Rd;在预触发级中,直流电源先经保护电阻串联Rc后与隔离电阻Rg和隔离磁珠Zbead串联,连接于雪崩三极管的集电极c,随后通过雪崩三极管的发射机e与隔离电阻Rg和隔离磁珠Zbead串联回到地,同时预触发级包含外触发电路,预触发电阻Rd并联于雪崩三极管的基极b和射极e之间,预触发电容Cd串联于雪崩三极管基极b和地之间;预触发级通过充电电容C与上一级相连,通过雪崩三极管的集电极c与下一级相连。

6.根据权利要求1所述的基于前级预触发的高重频快脉冲产生电路,其特征在于,所述集电极过电压导通级包括直流电源UC、保护电阻Rc、隔离电阻Rg、隔离磁珠Zbead、两个雪崩三极管T、充电电容C,在集电极过电压导通级中直流电源先经保护电阻串联Rc后与隔离电阻Rg和隔离磁珠Zbead串联,连接于雪崩三极管的集电极c,随后通过雪崩三极管的发射机e与隔离电阻Rg和隔离磁珠Zbead串联回到地,两个雪崩管的基极b和射极e短接后一同与充电电容相连,两个雪崩三极管的集电极c短接;集电极过电压导通级通过充电电容C与上一级相连,通过雪崩三极管的集电极c与下一级相连。

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