[发明专利]半导体微声器件制作方法、装置和半导体微声器件

权利要求书

1.一种半导体微声器件制作方法，其特征在于，包括：

根据微声基片欧拉角的自转角变化引发第一模式的激发强度在第一范围内的变化，确定所述微声基片的第一自转角；所述第一自转角为第一模式的激发强度在所述第一范围内取最小值时对应的自转角；

根据微声基片欧拉角的进动角变化引发第一模式的激发强度在第二范围内的变化，确定所述微声基片的第一进动角；所述第一进动角为第一模式的激发强度在所述第二范围内取最小值时对应的进动角；

根据所述第一自转角和所述第一进动角确定最佳欧拉角，并根据所述最佳欧拉角制作微声基片，采用半导体工艺制作金属叉指电极，得到半导体微声器件；

所述第一模式，是波速为2300米/秒至3900米/秒的模式。

2.根据权利要求1所述的半导体微声器件制作方法，其特征在于，所述根据微声基片欧拉角的自转角变化引发第一模式的激发强度在第一范围内的变化，确定所述微声基片的第一自转角，包括：

保持微声基片欧拉角的章动角为0度，进动角为90度，根据自转角在0度到180度之间的变化引发第一模式的激发强度在第一范围内的变化，确定所述微声基片的第一自转角。

3.根据权利要求1所述的半导体微声器件制作方法，其特征在于，所述根据微声基片欧拉角的进动角变化引发第一模式的激发强度在第二范围内的变化，确定所述微声基片的第一进动角，包括：

保持微声基片欧拉角的章动角为0度，自转角为90度，根据进动角在0度到180度之间的变化引发第一模式的激发强度在第二范围内的变化，确定所述微声基片的第一进动角。

4.根据权利要求1所述的半导体微声器件制作方法，其特征在于，所述根据所述第一自转角和所述第一进动角确定最佳欧拉角，包括：

在微声基片欧拉角的自转角为所述第一自转角时，根据进动角变化引发第一模式的激发强度在第三范围内的变化，确定所述微声基片的第二进动角；所述第二进动角为第一模式的激发强度在所述第三范围内取最小值时对应的进动角；

根据所述第二进动角和所述第一自转角确定第一欧拉角；

在微声基片欧拉角的进动角为所述第一进动角时，根据自转角变化引发第一模式的激发强度在第四范围内的变化，确定所述微声基片的第二自转角；所述第二自转角为第一模式的激发强度在所述第四范围内取最小值时对应的自转角；

根据所述第一进动角和所述第二自转角确定第二欧拉角；

将微声基片的欧拉角为所述第一欧拉角时的第一模式的激发强度，与微声基片的欧拉角为所述第二欧拉角时的第一模式的激发强度进行比较，选取较小的第一模式的激发强度对应的欧拉角为最佳欧拉角。

5.根据权利要求4所述的半导体微声器件制作方法，其特征在于，所述在微声基片欧拉角的自转角为所述第一自转角时，根据进动角变化引发第一模式的激发强度在第三范围内的变化，确定所述微声基片的第二进动角，包括：

保持微声基片欧拉角的章动角为0度，自转角为所述第一自转角的度数，根据进动角在0度到180度之间的变化引发第一模式的激发强度在第三范围内的变化，确定所述微声基片的第二进动角。

6.根据权利要求4所述的半导体微声器件制作方法，其特征在于，所述在微声基片欧拉角的进动角为所述第一进动角时，根据自转角变化引发第一模式的激发强度在第四范围内的变化，确定所述微声基片的第二自转角，包括：

保持微声基片欧拉角的章动角为0度，进动角为所述第一进动角的度数，根据自转角在0度到180度之间的变化引发第一模式的激发强度在第四范围内的变化，确定所述微声基片的第二自转角。

7.根据权利要求1所述的半导体微声器件制作方法，其特征在于，所述根据所述最佳欧拉角制作微声基片，采用半导体工艺制作金属叉指电极，得到半导体微声器件，包括：

根据所述最佳欧拉角制作微声基片；

采用半导体工艺在所述微声基片上制作金属叉指电极，得到半导体微声器件。