[发明专利]具有双侧冷却的功率模块封装在审

专利信息
申请号: 202310194095.4 申请日: 2017-02-08
公开(公告)号: CN115985868A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 涩谷诚 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/495
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 冷却 功率 模块 封装
【权利要求书】:

1.一种多芯片封装,其包括:

第一半导体装置,其被安装于第一引线框上,其中所述第一半导体装置的主要产热表面朝向所述第一引线框的散热区域定向且接触所述第一引线框的所述散热区域;

第二半导体装置,其被安装于第二引线框上,其中所述第二半导体装置的主要产热表面朝向所述第二引线框的散热区域定向且接触所述第二引线框的所述散热区域;

其中所述第一引线框是与突出接触区域共面的经蚀刻的引线框,且所述第二引线框是与接触所述第一引线框上的对应突出接触区域的突出接触区域共面的经蚀刻的引线框;且

其中所述第一引线框的所述散热区域的表面被暴露于所述多芯片封装的第一侧上,且所述第二引线框的所述散热区域的表面被暴露于所述多芯片封装的与所述第一侧相对的第二侧上。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装,其进一步包含模制材料,其囊封所述第一半导体装置及所述第二半导体装置,使得所述第一引线框的所述散热区域的散热表面的所述表面,且使得所述第二引线框的所述散热区域的所述表面保持被暴露。

3.根据权利要求2所述的多芯片封装,其进一步包含第三半导体装置,其通过所述第一引线框及所述第二引线框互连到所述第一半导体装置及所述第二半导体装置且由所述模制材料囊封。

4.根据权利要求2或3所述的多芯片封装,其进一步包含被连接到所述第二引线框的所述散热区域的散热器。

5.根据权利要求2或3所述的多芯片封装,其进一步包含附接到所述第一引线框的所述散热区域的衬底。

6.根据权利要求4所述的多芯片封装,其进一步包含附接到所述第一引线框的所述散热区域的衬底。

7.根据权利要求5或6所述的多芯片封装,其中所述衬底为印刷电路板。

8.一种多芯片封装,其包括:

第一半导体装置,其被安装于第一引线框上,其中所述第一半导体装置的漏极区域朝向所述第一引线框的散热区域定向且接触所述散热区域,且其中所述第一半导体装置的源极区域朝向第二引线框定向且接触所述第二引线框;

第二半导体装置,其被安装于所述第二引线框上,其中所述第二半导体装置的漏极区域朝向所述第二引线框的散热区域定向且接触所述第二引线框的所述散热区域,且其中所述第二半导体装置的源极区域朝向所述第一引线框定向且接触所述第一引线框;

其中所述第一引线框是与突出接触区域共面的经蚀刻的引线框,且所述第二引线框是与接触所述第一引线框上的对应突出接触区域的突出接触区域共面的经蚀刻的引线框;且

其中所述第一引线框的所述散热区域的表面被暴露于所述多芯片封装的第一侧,且所述第二引线框的所述散热区域的表面被暴露于所述多芯片封装的与所述第一侧相对的第二侧。

9.根据权利要求8所述的多芯片封装,其中所述第一引线框是与突出接触区域共面的经蚀刻的引线框,且所述第二引线框是与接触所述第一引线框上的对应突出接触区域的突出接触区域共面的经蚀刻的引线框。

10.根据权利要求8所述的多芯片封装,其中所述第一引线框是与突出接触区域共面的经冲压的引线框,且所述第二引线框是与接触所述第一引线框上的对应突出接触区域的突出接触区域共面的经冲压的引线框。

11.根据权利要求8所述的多芯片封装,其进一步包含模制材料,其囊封所述第一半导体装置及所述第二半导体装置,使得所述第一引线框的所述散热区域的所述散热表面的所述表面及所述第二引线框的所述散热区域的所述表面保持被暴露。

12.根据权利要求11所述的多芯片封装,其进一步包含第三半导体装置,其通过所述第一引线框及所述第二引线框互连到所述第一半导体装置及所述第二半导体装置且由所述模制材料囊封。

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