[发明专利]一种金凸块晶圆高可靠性返工的工艺

权利要求书

1.一种金凸块晶圆高可靠性返工的工艺，其特征在于，包括如下步骤：

（1）Pre-clean：先使用电浆机处理晶圆，再用scrubber清洗机来清洗晶圆；

（2）去水烘烤：将晶圆放入烘箱，控制烘烤温度为100-120℃，烘烤时间为15-30min，用于去除晶圆表面的水汽；

（3）光阻涂布：使用光阻涂布机，在晶圆表面涂上一层2-4um厚度的光阻；

（4）高蚀刻电浆处理：使用电浆机，利用RF及ICP刻蚀技术将O₂激发成plasma，持续轰击晶圆表面，利用金凸块表面光阻与线路区表面光阻高度差，使金凸块表面光阻去除使之露出，同时确保线路区仍然保留0.8-1um厚度的少量光阻；

（5）金蚀刻：用金蚀刻机台和金蚀刻药液，通过控制金蚀刻时间使得药液去除金凸块及底部的金层；

（6）光阻去除：用光阻去除机和光阻去除液，通过浸泡晶圆，将光阻溶解去除掉，留下只有钛钨层；

（7）钛钨蚀刻：用钛钨蚀刻机和钛钨蚀刻液，钛钨蚀刻液为双氧水，通过浸泡晶圆产生氧化反应，去除掉溅镀在晶圆上的钛钨层；

（8）Scrubber清洗：使用scrubber清洗机来清洗晶圆，去除晶圆表面上的微尘颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种金凸块晶圆高可靠性返工的工艺，其特征在于，还包括步骤（9）AOI扫描：使用AOI扫描机台来扫描晶圆，确认晶圆返工之后的良率表现。

3.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆高可靠性返工的工艺，其特征在于，所述步骤（3）中涂布的光阻中的酚醛树脂成分为30-40wt%，感光剂成分为1-10wt%。

4.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆高可靠性返工的工艺，其特征在于，所述步骤（4）中线路区为晶圆上除了金凸块以外的区域。

5.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆高可靠性返工的工艺，其特征在于，所述步骤（5）中的金蚀刻药液含有0.5-1.5wt%的铝保护剂。

6.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆高可靠性返工的工艺，其特征在于，所述步骤（6）中光阻去除液中的甲基吡咯烷酮成分为40-60wt%，二甲基亚砜成分为5-15wt%。