[发明专利]一种金凸块晶圆返工的工艺

权利要求书

1.一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，包括如下步骤：

（1）Pre-clean：先使用电浆机处理晶圆，再用scrubber清洗机来清洗晶圆；

（2）去水烘烤：将晶圆放入烘箱，控制烘烤温度为100-120℃，烘烤时间为15-30min，用于去除晶圆表面的水汽；

（3）光阻涂布：使用光阻涂布机，在晶圆表面覆盖涂上一层16-25um厚度的光阻，使得光阻的表面高度高于金凸块的表面高度，金凸块位于光阻下方；

（4）曝光：使用曝光机，对晶圆上生长金凸块的位置上方的光阻使用350-430nm波长的光进行照射，使之发生光溶解反应形成曝光区；

（5）显影及显影后烘烤：用显影机和显影液，通过显影液浸泡晶圆去除掉曝光区的光阻，将需要移除金凸块的位置打开开窗，再用烘箱烘烤晶圆将液体水汽烘干；

（6）电浆处理：使用电浆机，利用RF及ICP刻蚀技术将O₂激发成plasma，处理晶圆表面，增加金凸块表面的亲水性；

（7）金蚀刻：用金蚀刻机台和金蚀刻药液，通过金蚀刻药液去除金凸块及底部的金层；

（8）光阻去除：用光阻去除机和光阻去除液，通过浸泡晶圆，将光阻溶解去除掉，留下只有钛钨层；

（9）钛钨蚀刻：用钛钨蚀刻机和钛钨蚀刻液，钛钨蚀刻液为双氧水，通过浸泡晶圆产生氧化反应，去除掉溅镀在晶圆上的钛钨层；

（10）Scrubber清洗：使用scrubber清洗机来清洗晶圆，去除晶圆表面上的微尘颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，还包括步骤（11）AOI扫描：使用AOI扫描机台来扫描晶圆，确认晶圆返工之后的良率表现。

3.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，所述步骤（3）中涂布的光阻中的酚醛树脂成分为30-40wt%，感光剂成分为1-10wt%。

4.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，所述步骤（7）中的金蚀刻药液含有0.5-1.5wt%的铝保护剂。

5.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，所述步骤（8）中光阻去除液中的甲基吡咯烷酮成分为40-60wt%，二甲基亚砜成分为5-15wt%。