[发明专利]塞孔结构及其制作方法在审
申请号: | 202310198666.1 | 申请日: | 2023-03-03 |
公开(公告)号: | CN116437570A | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 陈先明;林文健;徐小伟;黄本霞;黄高 | 申请(专利权)人: | 珠海越亚半导体股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K1/11;H05K3/40 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 林灿伟 |
地址: | 519000 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种塞孔结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
对双面覆铜板进行钻孔,形成贯穿所述双面覆铜板上下表面的层间导通孔;
在所述层间导通孔的孔壁及所述双面覆铜板的表面制作第一种子层,并在所述第一种子层的表面电镀形成铜层;
在所述层间导通孔的内部填充树脂,使所述树脂与所述铜层的表面齐平;
保留所述层间导通孔周侧的预定区域内的所述铜层和所述第一种子层,形成孔环,将其余位置的所述铜层、所述第一种子层及所述双面覆铜板表面的铜箔蚀刻掉;
在所述双面覆铜板的表面制作第一线路,使所述第一线路与所述孔环电性连接。
2.根据权利要求1所述的塞孔结构的制作方法,其特征在于,所述双面覆铜板包括含玻纤的第一介质层、以及覆盖在所述第一介质层的上下表面的铜箔。
3.根据权利要求2所述的塞孔结构的制作方法,其特征在于,所述铜箔的厚度为1μm-6μm。
4.根据权利要求1所述的塞孔结构的制作方法,其特征在于,所述在所述层间导通孔的孔壁及所述双面覆铜板的表面制作第一种子层,并在所述第一种子层的表面电镀形成铜层的步骤,具体包括:
通过化学沉积法,在所述层间导通孔的孔壁及所述双面覆铜板的表面沉积所述第一种子层;
在所述第一种子层的表面电镀形成所述铜层。
5.根据权利要求1所述的塞孔结构的制作方法,其特征在于,所述在所述层间导通孔的内部填充树脂,使所述树脂与所述铜层的表面齐平的步骤,具体包括:
通过丝网印刷的方式,在所述层间导通孔的内部填充所述树脂;
通过烘烤使所述树脂固化后,将凸出于所述铜层的表面的树脂研磨掉;
对所述铜层进行减薄,并对凸出于减薄后的所述铜层的表面的树脂进行抛光或研磨,使所述树脂与所述铜层的表面齐平。
6.根据权利要求1所述的塞孔结构的制作方法,其特征在于,所述在所述双面覆铜板的表面制作第一线路,使所述第一线路与所述孔环电性连接的步骤,包括:
在所述双面覆铜板的表面制作第二种子层;
在所述第二种子层的表面贴第一抗镀干膜;
对所述第一抗镀干膜进行曝光显影,形成对应所述第一线路的第一图形;
根据所述第一图形,电镀形成所述第一线路,使所述第一线路与所述孔环电性连接;
去除所述第一抗镀干膜及所述双面覆铜板表面暴露的所述第二种子层。
7.根据权利要求1所述的塞孔结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括以下步骤:
在所述双面覆铜板的表面压合第二介质层,使所述第二介质层覆盖所述第一线路;
在所述第二介质层的内部制作金属盲孔,并在所述第二介质层的表面制作第二线路,所述第二线路通过所述金属盲孔与所述第一线路电性连接。
8.根据权利要求7所述的塞孔结构的制作方法,其特征在于,所述在所述第二介质层的内部制作金属盲孔,并在所述第二介质层的表面制作第二线路,所述第二线路通过所述金属盲孔与所述第一线路电性连接的步骤,包括:
通过镭射钻孔的方式对所述第二介质层进行钻孔,形成导通孔;
在所述第二介质层的表面及所述导通孔的内壁制作第三种子层;
在所述导通孔内电镀形成所述金属盲孔;
在所述第三种子层的表面贴第二抗镀干膜;
对所述第二抗镀干膜进行曝光显影,形成对应所述第二线路的第二图形;
根据所述第二图形,电镀形成所述第二线路,所述第二线路通过所述金属盲孔与所述第一线路电性连接;
去除所述第二抗镀干膜及所述第二介质层表面暴露的所述第三种子层。
9.根据权利要求7所述的塞孔结构的制作方法,其特征在于,所述第二介质层的材质为ABF、PP、RCC或RCF。
10.一种塞孔结构,其特征在于,通过如权利要求1-9中任一项所述的塞孔结构的制作方法制作而成。
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