[发明专利]一种基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器及制备方法

权利要求书

1.一种基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器，其特征在于，其包括：

衬底(1)，所述衬底(1)上形成有波导(2)；

异质结，所述异质结包括碲化锑薄膜(3)和石墨烯薄膜(4)，所述碲化锑薄膜(3)设于所述波导(2)上，所述石墨烯薄膜(4)设于所述碲化锑薄膜(3)上；

电极(5)，所述电极(5)设于所述异质结上。

2.如权利要求1所述的基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器，其特征在于：所述碲化锑薄膜厚度为5nm～10um。

3.如权利要求1所述的基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器，其特征在于：所述波导(2)的两侧还设有绝缘层(6)，所述绝缘层(6)设于所述衬底(1)上，所述碲化锑薄膜(3)还覆盖于所述绝缘层(6)上。

4.如权利要求1所述的基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器，其特征在于：所述波导(2)为脊型波导，且长度延伸方向与所述碲化锑薄膜(3)的长度延伸方向垂直。

5.如权利要求1所述的基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器，其特征在于：所述波导(2)采用Si、Si₃N₄、AlN其中一种或多种。

6.如权利要求1所述的基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器，其特征在于：所述电极(5)有两个，其中一个位于所述碲化锑薄膜(3)上，另一个位于所述石墨烯薄膜(4)上。

7.如权利要求1所述的基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器，其特征在于：所述电极(5)采用Ag、Au、C、Cu、Ti、In其中一种或多种。

8.如权利要求1所述的基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器，其特征在于：所述衬底(1)采用SiO₂/Si、蓝宝石、云母片、聚二甲基硅氧烷PDMS或者石英玻璃。

9.一种如权利要求1至8任一所述的基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：

在衬底(1)上制作波导(2)；

在所述波导(2)上制作碲化锑薄膜(3)和石墨烯薄膜(4)，以形成异质结；

在所述异质结上制作电极(5)。

10.如权利要求9所述的基于异质结的自驱动宽光谱光电探测器的制备方法，其特征在于：

在衬底(1)上，采用微纳加工工艺、紫外光刻和/或刻蚀方式制作波导(2)；

和/或，通过MOCVD生长方式生长碲化锑薄膜，温度为50℃～200℃，时间为10min～60min；

和/或，通过CVD生长单层石墨烯薄膜(4)，然后用pdms转移法，转移到碲化锑薄膜(3)上；

和/或，通过紫外光刻和蒸镀方式，制作电极(5)。