[发明专利]一种MOS管SOA测试治具及其测试方法有效

专利信息
申请号: 202310205376.5 申请日: 2023-03-06
公开(公告)号: CN116125243B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 杨承先 申请(专利权)人: 迈思普电子股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R1/28
代理公司: 广东莞信律师事务所 44332 代理人: 方小明
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos soa 测试 及其 方法
【说明书】:

发明涉及MOS管测试技术领域,具体涉及一种MOS管SOA测试治具及其测试方法,包括电源BAT1、电源BAT2、限流电阻R11、第一采样口、第二采样口、脉冲发生器、可调电阻VRS1、开关管Q3以及开关组件;电源BAT2通过限流电阻R11与第一采样口连接;第二采样口通过可调电阻VRS1接地;可调电阻VRS1的调节端与开关管Q3的控制端连接;脉冲发生器的输出端用于与待测MOS管的栅极连接;脉冲发生器的输出端用于与开关组件的控制端连接;电源BAT1通过开关组件的开关端与第一采样口连接。本发明可对单体器件做SOA做测试评估,可评估晶体的瞬态温度,应用器件在SOA有保证的情况下提高系统可靠性。

技术领域

本发明涉及MOS管测试技术领域,具体涉及一种MOS管SOA测试治具及其测试方法。

背景技术

MOS管作为新型半导体器件的代表,作为重要的开关元件广泛应用于服务器的电源系统中。为了保证MOS管能够安全工作,对MOS管进行SOA测试尤为重要。

虽然当前的MOS管规格书中定义了SOA(SafeOperating Area)曲线,但是目前无法验证器件是否与规格相符,同时无法验证MOS管的瞬态结温能力。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中的上述不足,提供了一种MOS管SOA测试治具及其测试方法。

本发明的目的通过以下技术方案实现:一种MOS管SOA测试治具,包括电源BAT1、电源BAT2、限流电阻R11、第一采样口、第二采样口、脉冲发生器、可调电阻VRS1、开关管Q3以及开关组件;

所述电源BAT2通过限流电阻R11与第一采样口连接;所述第二采样口通过可调电阻VRS1接地;所述第一采样口与第二采样口之间用于放置待测MOS管的开关端;所述可调电阻VRS1的调节端与开关管Q3的控制端连接;

所述MOS管SOA测试治具还包括采样电阻R13、采样电阻R14、开关SW13、开关SW14、电阻RS9以及PNP三极管Q4;所述开关管Q3为NPN三极管;

所述第二采样口通过采样电阻R13以及开关SW13接地;所述第二采样口通过采样电阻R14以及开关SW14接地;所述第二采样口通过电阻RS9与可调电阻VRS1连接;所述可调电阻VRS1的调节端与开关管Q3的基极连接;所述开关管Q3的发射极接地;所述开关管Q3的集电极与PNP三极管Q4的基极连接;所述PNP三极管Q4的集电极接地;所述PNP三极管Q4的发射极用于与待测MOS管的栅极连接;

所述MOS管SOA测试治具还包括电阻RR2、MOS管Q2、电阻RS2、电阻RS3、电容CS1以及电阻RS5;

所述脉冲发生器的输出端通过电阻RR2与MOS管Q2的栅极连接;所述MOS管Q2的源极接地;所述MOS管Q2的漏极与电阻RS5的一端连接;所述电阻RS5的另一端设于电阻RS2与电阻RS3之间;所述电源BAT2依次通过电阻RS2以及电阻RS3后与待测MOS管的栅极连接;所述电阻RS5的另一端通过电容CS1接地;

所述开关组件包括电阻RS6、MOS管Q3、电阻RS7以及MOS管Q1;

所述脉冲发生器的输出端经过电阻RR2后再通过电阻RS6后与MOS管Q3的栅极连接;所述MOS管Q3的源极接地;所述MOS管Q3的漏极通过电阻RS7与MOS管Q1的栅极连接;所述MOS管Q1的源极与电源BAT1连接;所述MOS管Q1的漏极与第一采样口连接。

本发明进一步设置为,所述脉冲发生器包括脉冲发生芯片U1;所述脉冲发生芯片U1的电源端与电源BAT2连接;所述脉冲发生器还包括脉冲时间调节组件。

本发明进一步设置为,所述脉冲时间调节组件包括可调电阻VR1、电阻RR3、电容CR4、电容CR2、电容CR5、开关SWF2、开关SWF1以及开关SWF3;

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