[发明专利]一种空穴传输界面钝化的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202310206706.2 | 申请日: | 2023-03-07 |
公开(公告)号: | CN116096105A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 杨旭东 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H10K30/10 | 分类号: | H10K30/10;H10K30/88;H10K30/80;H10K85/50;H10K71/00 |
代理公司: | 武汉中知诚业专利代理事务所(普通合伙) 42271 | 代理人: | 汪飞 |
地址: | 200020 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 空穴 传输 界面 钝化 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种空穴传输界面钝化的钙钛矿太阳能电池,包括正式电池和反式电池两种电池结构,所述正式电池的结构包括玻璃基底、透明电极、电子传输层、电子传输界面钝化层、钙钛矿层、空穴传输界面钝化层、空穴传输层、电极;所述反式电池的结构包括玻璃基底、透明电极、空穴传输层、空穴传输界面钝化层、钙钛矿层、电子传输界面钝化层、电子传输层、电极;空穴传输界面钝化层为溶液法涂布的苯甲酸基钾盐化合物,该空穴传输界面钝化的钙钛矿太阳能电池及其制备方法通过离子协同钝化钙钛矿‑空穴传输层界面,有效减少界面电荷复合损失,提升电池的效率和稳定性,具有良好的应用前景,有利于加快钙钛矿太阳能电池的产业化。
技术领域
本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域,具体为一种空穴传输界面钝化的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
太阳能电池技术成为解决人类能源危机最具潜力的科技之一。近年来钙钛矿太阳能电池的转换效率进步大,而且比传统的硅电池更便宜、更易生产。钙钛矿太阳能电池按照光传播与电荷传输方向可以从结构上分为“正式”结构和“反式”结构,其基本构成主要包括:透明电极、电子传输层、由钙钛矿材料组成的光吸收层、空穴传输层、电极。钙钛矿光吸收层中产生电子载流子和空穴载流子,分别被传输到电子传输层和空穴传输层,以及电极层。在钙钛矿光吸收层和电子传输层的界面上存在晶格缺陷,导致电子和空穴的复合损失。
目前,已有一些钙钛矿太阳能电池试图解决界面复合损失和稳定性问题,如在界面处添加有机分子或离子、聚合物、功能化石墨烯等。但是这些技术仍具有明显的局限性,仍然需要发展新型的低成本技术来提升效率和稳定性。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明目的是提供一种空穴传输界面钝化的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,以解决上述背景技术中提出的问题,本发明有效减少界面电荷复合损失,提升电池的效率和稳定性,具有良好的应用前景。
为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种空穴传输界面钝化的钙钛矿太阳能电池,包括正式电池和反式电池两种电池结构,所述正式电池的结构包括玻璃基底、透明电极、电子传输层、电子传输界面钝化层、钙钛矿层、空穴传输界面钝化层、空穴传输层、电极;所述反式电池的结构包括玻璃基底、透明电极、空穴传输层、空穴传输界面钝化层、钙钛矿层、电子传输界面钝化层、电子传输层、电极;所述空穴传输界面钝化层为溶液法涂布的苯甲酸基钾盐化合物。
进一步的,所述空穴传输界面钝化层的制备过程中,苯甲酸基钾盐化合物为苯甲酸钾、对甲苯甲酸钾中的至少一种,包括这些化合物按照在总质量中的比例(0%-100%)进行混合溶解后制备的薄膜,所述空穴传输界面钝化层厚度为0.1-10nm。
进一步的,所述空穴传输界面钝化层的制备过程中,配置苯甲酸钾、对甲苯甲酸钾中的至少一种化合物的溶液,包括这些化合物按照在总质量中的比例(0%-100%)进行混合后溶解,溶剂为乙醇、异丙醇中的至少一种,通过狭缝涂布法、刮刀法、旋涂法、喷涂法、浸泡法进行制。
进一步的,所述透明电极为ITO、FTO中的至少一种,厚度100-1000nm;所述电子传输层为C60、PCBM、氧化锡、二氧化钛中的至少一种,厚度1-100nm。
进一步的,所述钙钛矿层为铅基卤化物钙钛矿、锡基卤化物钙钛矿、铅锡混合卤化物钙钛矿中的至少一种,厚度50-5000nm。
进一步的,所述电子传输界面钝化层为氨基分子化合物中的至少一种,厚度0.1-10nm;所述空穴传输层为氧化镍、碘化铜、PTAA中的至少一种,厚度1-100nm;所述电极为金、银、铜、铜基合金、ITO、FTO中的至少一种,厚度10-1000nm。
一种空穴传输界面钝化的钙钛矿太阳能电池制备方法,该制备方法用于制备如上述的正式电池和反式电池两种电池结构,所述正式电池结构的制备方法包括以下步骤:
步骤一,用去离子水或者纯水清洗透明电极的表面,然后采用加热的方式将其表面进行干燥处理;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310206706.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。