[发明专利]基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法

权利要求书

1.一种基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，包括：

绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；

碲纳米线薄膜，形成于所述绝缘衬底上。

2.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述碲纳米线薄膜的厚度介于1nm～200nm之间，其中，碲纳米线的长度介于100nm～5000nm之间。

3.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，还包括：

碲纳米薄膜，形成于所述绝缘衬底上，其厚度介于1nm～1000nm之间；

其中，所述碲纳米线薄膜形成于所述碲纳米薄膜之上。

4.根据权利要求3所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述碲纳米薄膜的厚度1nm～200nm之间。

5.根据权利要求1所述的光控太赫兹波调制芯片，其特征在于，所述绝缘衬底为：石英衬底或蓝宝石衬底。

6.一种如权利要求1至5中任一项所述光控太赫兹波调制芯片的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A，准备绝缘衬底；

步骤C，在所述绝缘衬底上形成碲纳米线薄膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤C包括：

子步骤C1，制备碲纳米线溶液；

子步骤C2，将碲纳米线溶液滴涂在所述绝缘衬底上，待碲纳米线溶液的溶剂挥发完毕后，在绝缘衬底上形成碲纳米线薄膜。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述子步骤C1中，

采用电沉积法制备碲纳米线溶液，包括：配置含有TeO₂和KOH的溶液作为电解液，在电化学工作站中采用三电极体系进行制备：工作电极为铜片，对电极为铂片，参比电极为Hg/HgO电极，在过电位为-1.8V、温度为85℃条件下进行沉积。待反应完全后，静置，加入酸性溶液中和，再用去离子水清洗，得到含有碲纳米线溶液；或

采用Al箔置换法制备碲纳米线溶液，包括：在室温条件下，将Al箔放入含有TeO₂和KOH的溶液中发生置换反应。待反应完全后，静置，加入酸性溶液中和，再用去离子水清洗，得到碲纳米线溶液。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括：

步骤B，在所述绝缘衬底上形成碲纳米薄膜；

所述步骤C包括：在所述碲纳米薄膜上形成碲纳米线薄膜。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，采用磁控溅射或电子束蒸镀来在所述绝缘衬底上形成碲纳米薄膜。