[发明专利]GaN HEMT器件、半导体器件、电子设备以及制备方法

权利要求书

1.一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括：

GaN HEMT结构；其中，所述GaN HEMT结构的表层包括：第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域沿水平方向依次排列；

p-GaN材料层，包括：第一p-GaN层与第二p-GaN层；所述第一p-GaN层形成于所述第二区域；所述第二p-GaN层分布于所述第一区域与所述第三区域；

其中，所述p-GaN材料层中掺杂有镁离子，且仅所述第一p-GaN层中的镁离子经激光选区退火的方式进行激活。

2.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN HEMT结构具体包括：

衬底，以及沿远离所述衬底的方向上依次形成于所述衬底上的沟道层以及势垒层；其中，所述第一p-GaN层与所述第二p-GaN层形成于所述势垒层的表面；

源极金属层与漏极金属层；所述源极金属层与所述漏极金属层分别贯穿所述第一区域与所述第二区域的所述第二p-GaN层，且形成于所述势垒层的表面。

3.根据权利要求2所述的一种GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN HEMT器件还包括：

栅极金属层、栅极金属互连层、源极金属互连层、漏极金属互连层以及钝化层；所述栅极金属层形成于所述第一p-GaN层的顶端；所述栅极金属互连层、所述源极金属互连层、所述漏极金属互连层分别形成于所述栅极金属层、所述源极金属层以及所述漏极金属层的顶端；所述钝化层填充于所述栅极金属互连层、所述源极金属互连层以及所述漏极金属互连层之间的空隙中；

栅极场板，形成于所述栅极金属层与所述漏极金属层之间的所述钝化层的顶端，且连接所述栅极金属互连层。

4.根据权利要求3所述的一种GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN HEMT器件还包括：

若干隔离层；所述若干隔离层形成于所述GaN HEMT结构沿水平方向的两侧，且贯穿所述第二p-GaN层、所述势垒层以及部分所述沟道层。

5.根据权利要求4所述的一种GaN HEMT器件，其特征在于，所述衬底的材料是Si，所述沟道层的材料是GaN，所述势垒层的材料是AlGaN，所述钝化层的材料是Al₂O₃。

6.一种GaN HEMT器件的制作方法，用于制作权利要求1-5任一项所述的GaN HEMT器件，其特征在于，包括：

形成所述GaN HEMT结构与p-GaN材料层；所述p-GaN材料层形成于所述GaN HEMT结构的表层；所述p-GaN材料层中包括所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域；

形成所述第一p-GaN层与所述第二p-GaN层；所述第一p-GaN层形成于所述第二区域；所述第二p-GaN层形成于所述第一区域与所述第三区域；其中，仅形成所述第一p-GaN层时，采用的退火方式是：激光选区退火的方式。

7.根据权利要求6所述的一种GaN HEMT器件的制作方法，其特征在于，形成所述第一p-GaN层与所述第二p-GaN层具体包括：

仅对所述第二区域的所述p-GaN材料层进行激光选区退火，以在所述第二区域形成所述第一p-GaN层，同时在所述第一区域与所述第三区域形成所述第二p-GaN层。

8.根据权利要求7所述的一种GaN HEMT器件的制作方法，其特征在于，对所述第二区域的所述p-GaN层进行激光退火时，采用的激光波长为300～600nm，激光能量是300W～1200W，激光的光斑尺寸是1um～0.5mm。