[发明专利]一种新型抗污多肽及其在制备电化学传感器中的应用

权利要求书

1.一种抗污多肽，其特征在于，所述抗污多肽的序列为KDQDKEPPPPC-NH₂。

2.一种电化学抗污界面，其特征在于，所述电化学抗污界面含有权利要求1所述的抗污多肽。

3.根据权利要求2所述的电化学抗污界面，其特征在于，所述电化学抗污界面是通过在玻碳电极上固定权利要求1所述抗污多肽而得；所述玻碳电极是通过在裸玻碳电极上修饰纳米金颗粒而得。

4.一种电化学传感器，其特征在于，所述电化学传感器含有权利要求1所述的抗污多肽和权利要求2或3所述的电化学抗污界面。

5.根据权利要求4所述的电化学传感器，其特征在于，所述电化学传感器是通过在玻碳电极上固定适配体和权利要求1所述的抗污多肽而得；所述玻碳电极是通过在裸玻碳电极上修饰纳米金颗粒而得。

6.一种制备权利要求2或3所述电化学抗污界面的方法，其特征在于，所述方法具体步骤如下：

1)预处理玻碳电极：将玻碳电极用氧化铝粉末打磨，并用无水乙醇和超纯水超声清洗；

2)制备纳米金修饰的电极：在以预处理后的玻碳电极为工作电极、饱和甘汞电极为参比电极、铂丝电极为对电极的三电极体系下，使用循环伏安法在氯金酸溶液中完成纳米金的修饰，得AuNPs/GCE；

3)制备抗污多肽溶液：将权利要求1所述的抗污多肽溶解于三(2-羰基乙基)磷盐酸盐中；

4)抗污多肽修饰AuNPs/GCE：将AuNPs/GCE浸泡在抗污多肽溶液中，2～6℃浸泡10～14h，得到电化学抗污界面。

7.一种制备权利要求4或5所述电化学传感器的方法，其特征在于，所述方法的具体步骤如下：

1)预处理玻碳电极：将玻碳电极用氧化铝粉末打磨，并用无水乙醇和超纯水超声清洗

2)制备纳米金修饰的电极：在以预处理后的玻碳电极为工作电极、饱和甘汞电极为参比电极、铂丝电极为对电极的三电极体系下，使用循环伏安法在氯金酸溶液中完成纳米金的修饰，得AuNPs/GCE；

3)制备适配体-抗污多肽溶液：将适配体和权利要求1所述的抗污多肽溶解于三(2-羰基乙基)磷盐酸盐中；

4)抗污多肽和适配体修饰AuNPs/GCE：将AuNPs/GCE浸泡在适配体-抗污多肽溶液中，2～6℃浸泡10～14h，得到电化学传感器。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述适配体根据目标检测物进行设计及筛选。

9.权利要求1所述抗污多肽，或权利要求2或3所述电化学抗污界面在制备电化学传感器中的应用。

10.一种提高电化学传感器抗污的方法，其特征在于，所述方法为将权利要求1所述抗污多肽修饰至电化学传感器上。