[发明专利]一种雏菊无菌苗快速繁殖的方法

权利要求书

1.一种用于雏菊无菌苗快速繁殖的增殖培养基，其特征在于，所述增殖培养基中含有生长素、细胞分裂素和活性炭。

2.根据权利要求1所述的用于雏菊无菌苗快速繁殖的增殖培养基，其特征在于：

所述生长素为NAA、IAA、4-氯-IAA、5-羟-IAA中的至少一种；优选地，所述生长素为NAA；

所述细胞分裂素为6-BA、KT、ZT中的至少一种；优选地，所述细胞分裂素为6-BA。

3.根据权利要求2所述的用于雏菊无菌苗快速繁殖的增殖培养基，其特征在于：

所述生长素在所述增殖培养基中的终浓度为0.05～2mg/L，优选为0.1～0.3mg/L，进一步优选为0.2mg/L；

所述细胞分裂素在所述增殖培养基中的终浓度为0.5～5.0mg/L，优选为0.9～3mg/L，进一步优选为1.5mg/L；

所述活性炭在所述增殖培养基中的终浓度为0.1～1.0g/L，优选为0.3～0.7g/L，进一步优选为0.5g/L；

所述增殖培养基中还含有琼脂；琼脂在所述增殖培养基中的终浓度为2～10g/L，优选为4-6g/L，进一步优选为5g/L。

4.一种雏菊无菌苗快速繁殖的方法，其特征在于：

所述方法包括将雏菊无菌苗的茎段接种于增殖培养基，进行不定芽增殖培养，以得到不定芽的不定芽增殖步骤；

其中，所述增殖培养基中含有生长素、细胞分裂素和活性炭。

5.根据权利要求4所述的雏菊无菌苗快速繁殖的方法，其特征在于：

所述生长素为NAA、IAA、4-氯-IAA、5-羟-IAA中的至少一种；优选地，所述生长素为NAA；

所述细胞分裂素为6-BA、KT、ZT中的至少一种；优选地，所述细胞分裂素为6-BA。

6.根据权利要求5所述的雏菊无菌苗快速繁殖的方法，其特征在于：

所述生长素在所述增殖培养基中的终浓度为0.05～2mg/L，优选为0.1～0.3mg/L，进一步优选为0.2mg/L；

所述细胞分裂素在所述增殖培养基中的终浓度为0.5～5.0mg/L，优选为0.9～3mg/L，进一步优选为1.5mg/L；

所述活性炭在所述增殖培养基中的终浓度为0.1～1.0g/L，优选为0.3～0.7g/L，进一步优选为0.5g/L；

所述增殖培养基中还含有琼脂；琼脂在所述增殖培养基中的终浓度为2～10g/L，优选为4-6g/L，进一步优选为5g/L。

7.根据权利要求4所述的雏菊无菌苗快速繁殖的方法，其特征在于：

所述不定芽增殖培养的时间为25～35天；

优选地，所述不定芽增殖培养的条件包括：温度为22～28℃，光照强度为1500～2500Lx，优选为2000Lx，光照时间为10～18h/d，优选为16h/d。

8.根据权利要求7所述的雏菊无菌苗快速繁殖的方法，其特征在于：

所述方法还包括不定芽生根培养的步骤：将所述不定芽进行分割处理后得到不定芽小段，将所述不定芽小段接种于生根培养基进行生根培养，得到组培苗；

优选地，所述不定芽生根培养的条件包括：温度为16～28℃，光照强度为1500～2000Lx，光照时间为8～14h/d，优选为12h/d；

优选地，所述不定芽生根培养的时间为20～30天。

9.根据权利要求8所述的雏菊无菌苗快速繁殖的方法，其特征在于：

所述方法还包括炼苗驯化步骤：将所述组培苗进行炼苗处理，再移至生长基质进行驯化处理，得到雏菊植株；

优选地，所述生长基质包括蛭石粉末和草炭土，所述蛭石粉末和草炭土的质量比为(1～5)：(1～5)，优选为3：2。

10.根据权利要求9所述的雏菊无菌苗快速繁殖的方法，其特征在于：

所述驯化处理的湿度为50～70％，优选为60％，温度为20～28℃。