[发明专利]应用于集成电路封装的引线键合工艺在审
| 申请号： | 202310215301.5 | 申请日： | 2023-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN116110809A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 习雨攀;田沁丰;贾家扬;刘建银;魏如 | 申请（专利权）人： | 深圳电通纬创微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 王婉芬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 集成电路 封装 引线 工艺 | ||
1.一种应用于集成电路封装的引线键合工艺，其特征在于，包括：
提供引线键合工具（20），所述引线键合工具（20）内穿设有引线(220)，所述引线(220)的一端显露于所述引线键合工具（20）并形成焊球(221)；
移动引线键合工具（20），使得所述焊球(221)与待键合的芯片(10)接触；
加载第一输出模式于所述引线键合工具（20），基于所述焊球(221)的接触位置初步焊接并形成第一焊点；
加载第二输出模式于所述引线键合工具（20），以进一步提高所述焊球(221)与所述芯片(10)的焊接强度。
2.根据权利要求1所述的应用于集成电路封装的引线键合工艺，其特征在于，所述第一输出模式包括第一频率的超声波，所述第二输出模式包括第二频率的超声波，所述第一频率小于所述第二频率。
3.根据权利要求2所述的应用于集成电路封装的引线键合工艺，其特征在于，所述第一频率与所述第二频率的比值范围为0.3-0.7。
4.根据权利要求2所述的应用于集成电路封装的引线键合工艺，其特征在于，所述第二输出模式的超声波输出时间小于所述第一输出模式的超声波输出时间。
5.根据权利要求4所述的应用于集成电路封装的引线键合工艺，其特征在于，所述第二输出模式还包括压力输出，所述压力输出的输出时间小于所述第二输出模式的超声波输出时间。
6.根据权利要求1所述的应用于集成电路封装的引线键合工艺，其特征在于，所述焊球(221)由所述引线(220)显露于所述引线键合工具（20）的一端经加热形成。
7.根据权利要求1所述的应用于集成电路封装的引线键合工艺，其特征在于，在所述加载第一输出模式与所述引线键合工具（20）之前，所述移动引线键合工具（20），使得所述焊球(221)与待键合的芯片(10)接触之后，还包括步骤：
通过所述引线键合工具（20）施加压力于所述焊球(221)的接触位置，以进行预焊接。
8.根据权利要求1所述的应用于集成电路封装的引线键合工艺，其特征在于，所述引线键合工具（20）内设置有引线(220)，所述引线(220)的材质包括铜、铝以及金。
9.根据权利要求1所述的应用于集成电路封装的引线键合工艺，其特征在于，在所述加载第二输出模式于所述引线键合工具（20）的步骤之后，还包括：
移动所述引线键合工具（20）并同步牵引所述引线(220)形成连接线弧；
焊接所述引线(220)于所述芯片(10)外围的引线(220)框架(120)上，以形成第二焊点；
基于所述第二焊点切断所述引线(220)。
10.一种封装集成电路，其特征在于，所述封装集成电路基于如权利要求1-8任意一项所述的引线键合工艺封装制造而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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