[发明专利]CZT偏压测试系统及其测试方法、控制装置和存储介质

说明书

本发明涉及探测器技术领域，本发明提供一种CZT偏压测试系统及其测试方法、控制装置，存储介质，CZT偏压测试系统的测试方法包括以下步骤：控制高压生成电路向测试CZT晶体上施加多个第一电压；获取信号采集电路识别的每一第一电压对应的第一信号计数率；根据多个第一信号计数率之间的第一变化率，获取测试CZT晶体的最佳偏压。在本发明提供的测试方法中，通过高压生成电路向测试CZT晶体上施加高压电压，然后通过信号采集电路，对测试CZT晶体产生的电子进行收集，得到在此高压下的CZT晶体的信号计数率，获取不同高压状态下的信号计数率，根据信号计数率之间的变化率的大小，判断测试CZT晶体最佳偏压。

技术领域

本发明涉及探测器技术领域，尤其涉及一种CZT偏压测试系统及其测试方法、控制装置，存储介质。

背景技术

CZT探测器（碲锌镉探测器）作为新的化合物半导体探测器，其需要工作在一定偏压环境下，在偏压作用下，探测器内部产生电场，在被具有电离能力的射线辐射时，会产生电子和空穴对，最终形成电压脉冲。

然而，在现有技术中，CZT偏压均采用经验值，即按照晶体厚度的不同给探测器加上不同的偏压，但实际最佳偏压对于不同探测器会有差异，如果偏压过小会导致信号收集不完全，偏压过大会出现漏电流过大造成噪声过大的情况。综上所述，现有技术中，无法准确获取不同CZT晶体的最佳偏压。

发明内容

本发明提供一种CZT偏压测试系统及其测试方法、控制装置和存储介质，用以解决无准确获取不同CZT晶体的最佳偏压问题，实现精确获取CZT晶体的最佳偏压。

本发明提供一种CZT偏压测试系统的测试方法，CZT偏压测试系统包括用以产生电压的高压生成电路以及用以收集信号的信号采集电路；

CZT偏压测试系统的测试方法包括以下步骤：

控制高压生成电路向测试CZT晶体上施加多个第一电压；

获取信号采集电路识别的每一第一电压对应的第一信号计数率；

根据多个第一信号计数率之间的第一变化率，获取测试CZT晶体的最佳偏压。

根据本发明提供的CZT偏压测试系统的测试方法，控制高压生成电路向测试CZT晶体上施加多个第一电压的步骤包括：

根据第一步进电压值，依次施加多个第一电压。

根据本发明提供的CZT偏压测试系统的测试方法，根据第一步进电压值，依次施加多个第一电压的步骤包括：

根据第一步进电压值，依次施加步进增大的多个第一电压。

根据本发明提供的CZT偏压测试系统的测试方法，根据多个第一信号计数率之间的第一变化率，获取测试CZT晶体的最佳偏压的步骤包括：

根据小于预设变化率的第一变化率，获取第一变化率对应的多个第一信号计数率；

根据多个第一信号计数率获取对应的多个第一电压；

获取多个第一电压所处的电压区间，在对应的电压区间内获取最佳偏压。

根据本发明提供的CZT偏压测试系统的测试方法，在对应的电压区间内获取最佳偏压的步骤包括：

在电压区间内，以第二步进电压值依次施加多个第二电压；

获取多个第二电压对应的第二信号计数率；

根据多个第二信号计数率，获取最佳偏压；

其中，第二步进电压值小于第一步进电压值。

根据本发明提供的CZT偏压测试系统的测试方法，根据多个第二信号计数率，获取最佳偏压的步骤包括：

获取多个相邻的第二信号计数率之间的第二变化率；

获取第二变化率最小的两个第二信号计数率对应的第二电压；

将两个第二电压作为最佳偏压