[发明专利]一种高压高频平面变压器及其绕组损耗评估方法在审
申请号: | 202310217531.5 | 申请日: | 2023-03-03 |
公开(公告)号: | CN116184272A | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 刘寒玉;孙凯;易哲嫄 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R31/62 | 分类号: | G01R31/62;G01R31/72 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 刘海莲 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 高频 平面 变压器 及其 绕组 损耗 评估 方法 | ||
1.一种高频高压平面变压器绕组损耗评估方法,其特征在于,包括:
根据绕组电流分布特性,确定绕组磁场边界条件;
根据所述绕组磁场边界条件,确定铜层电流分布;
根据所述铜层电流分布,确定高频高压平面变压器的绕组损耗。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述绕组电流分布特性包括高压绕组电流分布特性和低压绕组电流分布特性,所述绕组磁场边界条件包括绕组整体磁场边界条件和绕组感应磁场边界条件,所述根据绕组电流分布特性,确定绕组磁场边界条件,包括:
根据所述高压绕组电流分布特性,确定所述高频高压平面变压器中高压绕组与低压绕组之间的层对应的磁场分布情况;
根据所述磁场分布情况,确定所述绕组整体磁场边界条件;
根据所述低压绕组电流分布特性,确定绕组激励磁场边界条件;
根据所述绕组整体磁场边界条件和所述绕组激励磁场边界条件,确定所述绕组感应磁场边界条件。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述绕组磁场边界条件,确定铜层电流分布,包括:
根据所述绕组磁场边界条件,确定铜层磁场边界条件;
根据所述铜层磁场边界条件,确定所述铜层电流分布。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述绕组磁场边界条件,确定铜层磁场边界条件,包括:
确定所述高频高压平面变压器中低压绕组对应的低压绕组参数;
根据所述低压绕组参数和所述绕组磁场边界条件,对铜层与空气中的电磁场基本方程进行求解,确定每一层铜层表面对应的感应磁场分布,得到感应磁场分布集合;
根据所述感应磁场分布集合,确定所述铜层磁场边界条件。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述铜层磁场边界条件,确定所述铜层电流分布,包括:
根据所述铜层磁场边界条件,对铜层中的电磁场基本方程进行求解,得到所述铜层电流分布。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述铜层电流分布,确定高频高压平面变压器的绕组损耗,包括:
根据所述铜层电流分布,确定所述高频高压平面变压器对应的感应电流和激励电流;
根据所述感应电流和所述激励电流,确定所述高频高压平面变压器对应的整体电流;
根据所述整体电流,确定所述高频高压平面变压器的绕组损耗。
7.一种高频高压平面变压器,其特征在于,包括:高压绕组层、第一低压绕组层、第二低压绕组层、第一隔离绕组层、第二隔离绕组层与磁芯;其中,
所述第一低压绕组层、所述第一隔离绕组层、所述高压绕组层、所述第二低压绕组层和所述第二隔离绕组层依次连接;
所述磁芯穿过所述第一低压绕组层、所述第一隔离绕组层、所述高压绕组层、所述第二低压绕组层和所述第二隔离绕组层。
8.一种高频高压平面变压器绕组损耗评估装置,其特征在于,包括:
条件确定单元,用于根据绕组电流分布特性,确定绕组磁场边界条件;
分布确定单元,用于根据所述绕组磁场边界条件,确定铜层电流分布;
损耗确定单元,用于根据所述铜层电流分布,确定高频高压平面变压器的绕组损耗。
9.一种电子设备,包括:
至少一个处理器;以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-6中任一项所述的方法。
10.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质,其中,所述计算机指令用于使所述计算机执行根据权利要求1-6中任一项所述的方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310217531.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示基板、显示装置和显示方法
- 下一篇:电子病案的归档方法和装置