[发明专利]钙钛矿电池及其制作方法、用电装置

权利要求书

1.一种钙钛矿电池，其特征在于，包括：

第一电极层，被设置为所述钙钛矿电池中供光入射的电极层；

第一载流子传输层，设于所述第一电极层上，所述第一载流子传输层为空穴传输层、电子传输层中的一者；

钙钛矿层，设于所述第一载流子传输层的背离所述第一电极层的一侧；

第二电极层，位于所述钙钛矿层的背离所述第一电极层的一侧；以及

第一功能层，位于所述钙钛矿层的背离所述第一电极层的一侧，并位于所述第二电极层的厚度方向一侧，所述第一功能层能够将自所述第一电极层入射、并透过所述钙钛矿层的至少部分光线反射至所述钙钛矿层；

所述钙钛矿电池还包括布置于所述钙钛矿层和所述第二电极层之间的第二载流子传输层，所述第二载流子传输层为所述空穴传输层、所述电子传输层中的另一者；

所述第一功能层设于所述第二载流子传输层和所述第二电极层之间；

所述第二电极层包括依次层叠布置于所述第一功能层的背离所述第二载流子传输层一侧的第二功能层和第一金属层，所述第二功能层被配置为能够阻隔所述钙钛矿层中的碘离子迁移至所述第一金属层。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述第一功能层的材料包括以下材料中的至少一者：

TiO₂、ZnO、SnO₂、Al₂O₃、MoO₃、WO₃、NiO_x、ITO、FTO、AgBiS₂、WS₂、MoS₂、LiF、MgF₂、NaF、KF、Au、Ag、Cu、Al、Cr。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述第一功能层的厚度为0.5nm~20nm。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述第二功能层的材料包括以下材料中的至少一者：

ITO、FTO、LiF、MgF₂、MoO₃。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述第二功能层的厚度为5nm~30nm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿层的背离所述第一载流子传输层的一侧表面为粗糙面。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿层的背离所述第一载流子传输层的一侧表面设有多个凹陷结构。

8.根据权利要求7所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述凹陷结构的内轮廓形状为倒棱锥状。

9.根据权利要求7所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述凹陷结构的深度h1满足：0＜h1≦100nm。

10.根据权利要求7所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述多个凹陷结构呈阵列排布。

11.一种用电装置，其特征在于，所述用电装置包括如权利要求1-10中任一项所述的钙钛矿电池，所述钙钛矿电池用于提供电能。