[发明专利]一种自调节功耗的高精度比较器

权利要求书

1.一种自调节功耗的高精度比较器，其特征在于，包括：第一级放大器、第二级放大器、Latch锁存器、偏置电路和检测电路；所述第一级放大器的两个输入端连接两路差分模拟电压信号，第一级放大器的两个输出端分别连接所述第二级放大器的两个输入端，第二放大器的两个输出端连接所述Latch锁存器；所述Latch锁存器的输出端连接所述检测电路的时钟输入端；所述检测电路的反馈输出端连接所述偏置电路；所述偏置电路的两个输出端分别连接所述第一级放大器和所述第二级放大器。

2.根据权利要求1所述的一种自调节功耗的高精度比较器，其特征在于，所述检测电路包括多个依次连接的延时单元，每个延时单元均由时钟信号统一控制，每个延时单元均输出反馈信号。

3.根据权利要求2所述的一种自调节功耗的高精度比较器，其特征在于，延时单元的数量为3个。

4.根据权利要求1所述的一种自调节功耗的高精度比较器，其特征在于，所述偏置电路包括基准电路、偏置调控模块和偏置产生模块；基准电路的两个输出端连接偏置调控模块，偏置调控模块的输出端连接偏置产生模块，偏置产生模块的两个输出端为偏置电路的两个输出端。

5.根据权利要求4所述的一种自调节功耗的高精度比较器，其特征在于，所述偏置调控模块包括3个反相器和14个NMOS管，3个反相器分别为第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3；14个NMOS管分别为NMOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13和M14；第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3的输入端分别连接检测电路的不同输出端，第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3的输出端分别连接NMOS管M10、M12和M14的栅极；NMOS管M9、M11和M13的栅极分别连接检测电路的不同输出端；NMOS管M1的栅极连接NMOS管M9、M11和M13的漏极后再连接基准电路的第一输出端、NMOS管M1的源极连接NMOS管M2的漏极、NMOS管M1的漏极连接NMOS管M3、M5和M7的漏极；NMOS管M2的栅极连接NMOS管M4、M6和M8的栅极后再连接基准电路的第二输出端、NMOS管M2的源极与NMOS管M4、M6和M7的源极连接后再接地；NMOS管M3的栅极连接NMOS管M9的源极和NMOS管M10的漏极，NMOS管M3的源极连接NMOS管M4的漏极；NMOS管M5的栅极连接NMOS管M11的源极和NMOS管M12的漏极，NMOS管M5的源极连接NMOS管M6的漏极；NMOS管M7的栅极连接NMOS管M13的源极和NMOS管M14的漏极，NMOS管M7的源极连接NMOS管M8的漏极；NMOS管M10、M12和M14的源极接地。

6.根据权利要求5所述的一种自调节功耗的高精度比较器，其特征在于，NMOS管M1、M3、M5和M7的源极电流大小比值为8：4：2：1。

7.根据权利要求4所述的一种自调节功耗的高精度比较器，其特征在于，所述偏置产生模块包括PMOS管M15、M16、M17、M18、M19、M20和NMOS管M21、M22、M23、M24、M25、M26、M27、M28、M29；PMOS管M15、M16和M17的源极连接电源；PMOS管M15的栅极连接PMOS管M16和PMOS管M17的栅极后再与PMOS管M15的漏极相接，PMOS管M15的漏极连接PMOS管M18的源极；PMOS管M16的漏极连接PMOS管M19的源极；PMOS管M17的漏极连接PMOS管M20的源极；PMOS管M18的栅极连接PMOS管M19和PMOS管M20的栅极后再与PMOS管M18的漏极连接，PMOS管M18的漏极连接偏置调控模块的输出端；PMOS管M19的漏极连接NMOS管M21、M22、M23、M24、M26、M28的栅极后再与NMOS管M21的漏极连接；PMOS管M20的漏极连接NMOS管M25、M27、M29的栅极后再与NMOS管M24的漏极连接；NMOS管M21的源极连接NMOS管M22的漏极；NMOS管M22的源极连接NMOS管M23的漏极；NMOS管M23的源极与NMOS管M25、M27、M29的源极后再接地；NMOS管M24的源极连接NMOS管M25的漏极；NMOS管M26的源极连接NMOS管M27的漏极；NMOS管M28的源极连接NMOS管M29的漏极；NMOS管M26和M28的漏极为偏置产生模块的两个输出端。