[发明专利]一种磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法在审
申请号: | 202310221478.6 | 申请日: | 2023-03-09 |
公开(公告)号: | CN116110794A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 钮伟;胡洪萁;普勇 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/51 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 张玉红 |
地址: | 210023*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁性 离子 凝胶 薄膜 石墨 场效应 制备 方法 | ||
1.一种磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1:制备金属电极:利用光刻胶在硅衬底根据所需电极图案进行曝光、显影、定影;蒸镀Ti/Au金属层,获得带有目标图案的金属电极;
步骤2:转移样品:制备标准的石墨烯样品,利用转移平台将石墨烯转移至带有金属电极的硅衬底上;
步骤3: 制备磁性离子凝胶栅介石墨烯场效应管:先制备磁性离子凝胶薄膜,切割放至于步骤2中的带有金属电极的硅衬底上。
2.根据权利要求1所述磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法,其特征在于:所述步骤1具体包括以下步骤:
步骤1.1:将硅片依次在丙酮、乙醇中通过超声清洗,随后用氮气吹干,将洗净后的硅片吸附在匀胶机上,依次旋涂上光刻胶MMA EL6和PMMA A5,并在加热平台上烘干;
步骤1.2:将烘干后附有光刻胶的硅片放至电子束曝光机的腔体中,利用电子束轰击带有光刻胶的硅片,获得带有目标电极图案的硅片;
步骤1.3:将曝光后的硅片放至显影液中清除掉曝光后的光刻胶,然后将硅片放至异丙醇中完成定影,最后用氮气吹干;
步骤1.4:将吹干后的硅片放至电子束蒸镀系统的腔体中,抽真空,然后依次蒸镀钛、金;
步骤1.5:将蒸镀好的硅片放至丙酮溶液中静置,剥离掉未经过曝光的部分,剩余部分即为所需金属电极。
3.根据权利要求1所述磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法,其特征在于:所述步骤2具体包括以下步骤:
步骤2.1:块材石墨烯经过胶带反复粘贴并用PDMS薄膜与胶带贴合,随后将PDMS上粘有石墨烯的一面贴合在洗净后的硅片上,筛选出符合器件制备的石墨烯样品;
步骤2.2:将筛选出的石墨烯样品、制备好的金属电极放置于转移平台上固定,将石墨烯样品黏贴到PVA上,然后将石墨烯样品转移至金属电极沟道处;
步骤2.3:将转移好的样品放至去离子水中,完全浸泡并静置去除PVA,最后用氮气将其吹干。
4.根据权利要求1所述磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法,其特征在于:所述制备磁性离子凝胶薄膜的方法为:
步骤3.1:将磁性离子液体、聚偏二氟乙烯-六氟丙烯、丙酮溶剂加热搅拌至聚合物充分溶解,待丙酮挥发后得到磁性离子凝胶溶液;
步骤3.2:将干净的基底吸附在匀胶机上,并将磁性离子凝胶溶液滴铸在基底上匀胶,得到旋涂有磁性离子凝胶溶液的基底;放置于真空烤箱中进行烘烤以去除水分和多余的丙酮。
5.根据权利要求2所述磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法,其特征在于:所述步骤1.1中,匀胶机转速采取分步设置方式,第一步转速4000转/分钟,旋转时间为33s,随后7000转/分钟,旋转时间为8s。
6.根据权利要求2所述磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法,其特征在于:所述步骤1.3中,显影时间为35s,定影时间为10s。
7.根据权利要求2所述磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方法,其特征在于:所述步骤1.4中,蒸镀钛的速率为0.15Å/s,厚度5nm,金的速率为0.5Å/s,厚度20nm。
8.根据权利要求4所述磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方案,其特征在于:所述步骤3.1中,磁性离子液体为1-丁基-3-甲基咪唑四氯化铁BMIM[FeCl4]。
9.根据权利要求4所述磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方案,其特征在于:所述步骤3.1中,磁性离子凝胶薄膜的制备所需磁性离子液体、聚合物、丙酮溶剂的质量比为4:0.9:10,加热搅拌的温度为70℃,速率600转/分钟。
10.根据权利要求4所述磁性离子凝胶薄膜栅介石墨烯场效应管的制备方案,其特征在于:所述步骤3.2中,烘烤温度为120℃时间40分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造