[发明专利]基于石墨烯的太赫兹狭缝波导调制器

权利要求书

1.一种基于石墨烯的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，从上至下依次包括第一介质层1-1和第一介质层1-2、第二介质层2、基底3；所述第一介质层1-1、第一介质层1-2分别内置第三介质层4-1、第三介质层4-2，并分别构成介质狭缝波导；所述第一介质层1-1和第一介质层1-2之间设有石墨烯层5-1和石墨烯层5-2。

2.如权利要求1所述的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，所述石墨烯层5-1和石墨烯层5-2之间设有第五介质层6。

3.如权利要求1所述的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，所述第一介质层1-1和第一介质层1-2、第三介质层4-1和第三介质层4-2为对称结构。

4.如权利要求1所述的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，所述第一介质层1-1、第一介质层1-2、第二介质层2和第五介质层6可采用介电常数为2-3的绝缘材料，所述第三介质层4-1和第三介质层4-2以及基底3可选用介电常数10-15的绝缘材料。

5.如权利要求4所述的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，所述介电常数为2-3的绝缘材料为氮化硼、二氧化硅，所述介电常数为10-15的绝缘材料为硅。

6.如权利要求1所述的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，所述第一介质层1-1和第一介质层1-2的厚度为1.5-2.5μm，宽度为25-35μm。

7.如权利要求1所述的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，所述第二介质层2的厚度为70-90μm，宽度为250-350μm。

8.如权利要求1所述的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，所述第三介质层4-1和第三介质层4-2的宽度和厚度为60-80μm。

9.如权利要求1所述的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，所述第五介质层6的厚度为1.5-2.5μm。

10.如权利要求1所述的太赫兹狭缝波导调制器，其特征在于，所述基底3的宽度为、250-350μm，厚度为15-25μm。