[发明专利]基于YSZ-NiO多孔层的传感器及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202310224992.5 申请日: 2023-03-10
公开(公告)号: CN115950939B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 王岭;马建欣;戴磊;孟维薇;刘洪浩 申请(专利权)人: 华北理工大学
主分类号: G01N27/407 分类号: G01N27/407
代理公司: 唐山永和专利商标事务所 13103 代理人: 邢智博
地址: 063210 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 基于 ysz nio 多孔 传感器 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种基于YSZ-NiO多孔层的传感器的制备方法,按如下步骤进行:

S1、制备YSZ致密层固体电解质:在YSZ电解质粉体中加入粘结剂PVB进行湿法球磨,球磨完成后自然晾干,将其压成片状,进行致密化烧结,得到致密的YSZ致密层固体电解质基片;

S2、制备YSZ-NiO混合导体多孔层:

S2-1、将YSZ电解质粉体和NiO粉体混合并加入无水乙醇,放在球磨机中研磨,球磨完成后产物烘干;YSZ电解质粉体、NiO粉体的质量比为1:(0.3~0.5);

S2-2、烘干后产物与石墨粉、淀粉和有机助剂混合,放在球磨机中研磨,得到混合导体多孔层浆料;

S2-3、将混合导体多孔层浆料丝网印刷在YSZ致密层固体电解质基片上,之后煅烧得到YSZ-NiO混合导体多孔层;

S3、制备NiO敏感材料:

S3-1、将Ni(NO3)2·6H2O溶于去离子水中,并加入络合剂柠檬酸和表面润湿剂无水乙醇,得到NiO浸渍溶液;

S3-2、将NiO浸渍溶液浸渍到YSZ-NiO混合导体多孔层上,之后烧结得到NiO敏感材料;

S4、制备传感器:将Pt丝通过Pt浆粘结固定在YSZ致密层/YSZ-NiO混合导体多孔层双层固体电解质的上、下表面并煅烧,最终得到基于YSZ-NiO混合导体多孔层NO2传感器。

2.根据权利要求1所述的基于YSZ-NiO多孔层的传感器的制备方法,其特征在于,S1中PVB用量为YSZ电解质粉体的1wt%,致密化烧结温度为1600℃,时间为5h。

3.根据权利要求1所述的基于YSZ-NiO多孔层的传感器的制备方法,其特征在于,S2-2中石墨粉用量为S2-1中YSZ电解质粉体和NiO粉体总量的20wt%,淀粉用量为S2-1中YSZ电解质粉体和NiO粉体总量的10wt%,有机助剂用量为S2-1中YSZ电解质粉体和NiO粉体总量的70wt%;有机助剂由94wt%松油醇和6wt%乙基纤维素组成。

4.根据权利要求1所述的基于YSZ-NiO多孔层的传感器的制备方法,其特征在于,S2-2中研磨时间为48h,S2-3中煅烧温度为1450℃,煅烧时间为3h。

5. 根据权利要求1所述的基于YSZ-NiO多孔层的传感器的制备方法,其特征在于,S3-1中Ni(NO3)2·6H2O和柠檬酸摩尔比为1:1,得到浸渍溶液中Ni浓度为0.05 mol/L。

6.根据权利要求1所述的基于YSZ-NiO多孔层的传感器的制备方法,其特征在于,S3-2中浸渍时使用微量进样器,浸渍五次,每次浸渍用量为10μL,浸渍后烧结温度为900℃,烧结时间为3h。

7.根据权利要求1所述的基于YSZ-NiO多孔层的传感器的制备方法,其特征在于,S4中煅烧温度为800℃,煅烧时间为1h。

8.一种根据权利要求1-7任一项所述的基于YSZ-NiO多孔层的传感器的制备方法得到的基于YSZ-NiO多孔层的传感器。

9.一种如权利要求8所述的基于YSZ-NiO多孔层的传感器在NO2检测中的应用,其特征在于,所述基于YSZ-NiO多孔层的传感器采用阻抗方式工作,即记录不同NO2浓度下所述基于YSZ-NiO混合导体多孔层NO2传感器产生的Θ响应值,根据Θ响应值与NO2浓度的对数之间关系进行定量测定。

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