[发明专利]可控硅短路保护电路及温控系统在审
| 申请号： | 202310226582.4 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116365469A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 茅俊虎;杨建邦;杨路路;安倩倩;戴忠伟 | 申请（专利权）人： | 广芯电子技术（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H5/04 | 分类号： | H02H5/04;G05D23/30 |
| 代理公司： | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人： | 夏彬 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可控硅 短路 保护 电路 温控 系统 | ||
1.一种可控硅短路保护电路，其特征在于，包括单向控制元件、熔断器件、单向可控硅和发热负载，所述单向控制元件连接交流电源的第一输入端，所述单向控制元件、所述熔断器件、所述单向可控硅、和所述发热负载串联连接，所述发热负载连接所述交流电源的第二输入端，
所述单向控制元件的偏置方向和所述单向可控硅的偏置方向相同。
2.根据权利要求1所述的可控硅短路保护电路，其特征在于，所述单向控制元件包括至少一个二极管。
3.根据权利要求1所述的可控硅短路保护电路，其特征在于，所述单向控制元件包括多个并联的二极管，所述单向控制元件包括的所有二极管的偏置方向相同。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的可控硅短路保护电路，其特征在于，所述单向控制元件包括的二极管为大电流二极管。
5.根据权利要求1所述的可控硅短路保护电路，其特征在于，所述熔断器件为温度保险丝。
6.根据权利要求3所述的可控硅短路保护电路，其特征在于，所述单向控制元件包括的二极管的个数由电路中的总电流以及单个二极管过电流能力来确定。
7.根据权利要求1所述的可控硅短路保护电路，其特征在于，所述单向可控硅配置为根据接收到的可控硅控制信号来进行导通或关断，从而控制所述发热负载的温度。
8.一种温控系统，包括权利要求1至7中的任一项所述的可控硅短路保护电路和可控硅控制单元，其特征在于，所述可控硅控制单元用于在所述发热负载的温度高于预设值时，关断所述单向可控硅；以及在所述发热负载的温度低于所述预设值时，导通所述单向可控硅。
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