[发明专利]一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构

权利要求书

1.一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构，包括芯片(1)，其特征在于，还包括散热基板，所述散热基板位于所述芯片(1)背面，所述散热基板靠近所述芯片(1)的一侧面上设置有第一金属修饰层，所述芯片(1)靠近所述散热基板的一侧面上设置有第二金属修饰层，所述第一金属修饰层包括第一钛层(3)、第一金层(4)，所述第一钛层(3)位于所述散热基板靠近所述芯片(1)的一侧面上，所述第一金层(4)位于所述第一钛层(3)远离所述散热基板的一侧面上，所述第二金属修饰层包括第二钛层(5)、第二金层(6)，所述第二钛层(5)位于所述芯片(1)靠近所述散热基板的一侧面上，所述第二金层(6)位于所述第二钛层(5)远离所述芯片(1)的一侧面上，所述第一金层(4)、第二金层(6)相互靠近的一侧面之间相互结合。

2.根据权利要求1所述一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构，其特征在于，所述第一金属修饰层还包括第一铜层(7)、第三钛层(8)，所述第一铜层(7)位于所述第一钛层(3)、第一金层(4)之间，所述第三钛层(8)位于所述第一铜层(7)、第一金层(4)之间。

3.根据权利要求2所述一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构，其特征在于，所述第二金属修饰层还包括第二铜层(9)、第四钛层(10)，所述第二铜层(9)位于所述第二钛层(5)、第二金层(6)之间，所述第四钛层(10)位于所述第二铜层(9)、第二金层(6)之间。

4.根据权利要求1所述一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构，其特征在于，所述散热基板为金刚石散热片，所述金刚石散热片的厚度为0.2-0.4mm。

5.根据权利要求3所述一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构，其特征在于，所述第一钛层(3)、第二钛层(5)、第三钛层(8)、第四钛层(10)的厚度为3-7nm。

6.根据权利要求3所述一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构，其特征在于，所述第一金层(4)、第二金层(6)的厚度为10-60nm。

7.根据权利要求3所述一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构，其特征在于，所述第一铜层(7)、第二铜层(9)的厚度为100-400nm。

8.根据权利要求1所述一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构，其特征在于，所述第一金层与第二金层的结合方式为室温直接键合、焊接方式中的一种。

9.根据权利要求8所述一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构，其特征在于，所述室温直接键合的压力为4-8Mpa。

10.根据权利要求3-9任意一项所述一种用于芯片散热的金刚石-多金属修饰层散热结构的生成方法，包括以下步骤：

S1、通过磁控溅射镀膜技术在散热基板上依次镀上第一钛层、第一铜层、第三钛层、第一金层；

S2、将芯片先预处理，使用超声清洗，再使用丙酮乙醇超纯水清洗、氮气枪干燥；

S3、将干燥后的芯片粘贴在蒸镀盘上，在芯片的背面同样使用磁控溅射镀膜方法依次镀第二钛层、第二铜层、第四钛层、第二金层；

S4、最后通过焊接方式将第一金层、第二金层相互结合，得到最终散热结构；

S5、最后退火处理，进行载重。