[发明专利]桌面型旋涂设备在审

专利信息
申请号: 202310229813.7 申请日: 2023-03-10
公开(公告)号: CN116339076A 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 冀然;李铭 申请(专利权)人: 青岛天仁微纳科技有限责任公司
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16;G03F7/00
代理公司: 山东重诺律师事务所 37228 代理人: 王鹏里
地址: 266000 山东省青岛市城阳区城*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 桌面 型旋涂 设备
【说明书】:

本申请涉及纳米压印技术领域,公开一种桌面型旋涂设备,包括壳体、托盘单元、点胶单元、去边单元和背洗单元,壳体包括外壳主体和盖板,盖板安装在外壳主体上部,外壳主体内部设置有匀胶腔体;托盘单元安装在壳体内,托盘单元包括位于匀胶腔体内的基片托盘,基片托盘用于承载基片;点胶单元安装在盖板上,点胶单元与基片位置对应,点胶单元用于对基片点胶;去边单元安装在壳体上,与基片的边缘位置对应,去边单元用于去除基片边缘的纳米压印胶;背洗单元安装在外壳主体内,背洗单元用于清洗反弹到基片背面的纳米压印胶。本公开体积小,集成点胶、去边和背洗等功能单元,可实现自动滴胶功能,保证基片正面胶层的均匀性和背面清洁功能齐全。

技术领域

本申请涉及纳米压印技术领域,例如涉及一种桌面型旋涂设备。

背景技术

几十年来,光刻技术的特征尺寸不断减小,给制造技术提出了新的挑战。为了得到更高分辨率的结构,就要求使用更短波长的光作为曝光的光源,传统的光刻已经达到了它的极限,因此下一代光刻技术应运而生,出现了电子束光刻(EBL)、离子束光刻(IBL),极紫外光刻(EUV)等技术。电子束光刻虽然分辨率高,但是产量低,加工成本高,只能用于加工关键层。X射线光刻对光源及样制造要求很高,同时高能辐射会迅速破坏掩模和透镜中的许多材料,导致光刻成本增加。极紫外光刻技术必须采用精度极高的反射式光学系统,同样带来成本的剧增。

20世纪90年代中叶,美国普林斯顿大学周郁教授提出纳米压印技术的概念,向人们展示了一种新型的、以模板为基础的纳米压印制造技术。结合现代微电子工艺和材料技术,克服了光学曝光中由于衍射现象引起的分辨率极限问题,显示了超高分辨率,高产量,低成本,适合工业化生产的独特优点,激发广泛的研究兴趣。

纳米压印的基本步骤包括压印胶涂覆,软烤,压印,固化,脱模等工艺过程。压印胶的涂覆方式有旋涂、滴胶、滚涂、喷雾等方式,其中旋涂最为常见的涂覆方式。旋涂的原理即在高速旋转的基片上,滴注纳米压印胶液,利用离心力使滴在基片上的胶液均匀地涂覆在基片上,纳米压印胶旋涂后的厚度视不同胶液,旋转速度,旋转时间和基片间的粘滞系数而不同。旋涂的胶层对纳米压印产品的影响很大,会最终影响纳米压印产品的厚度的均匀性,从而影响产品的良率。

市场上的旋涂设备品牌众多,良莠不齐,一般的桌面型旋涂设备由于其体积较小,不能包括自动点胶,自动去胶边,背面清洗等功能,集成化程度较低。人工点胶操作时易将灰尘颗粒等污染物掉落到基片上,且人工点胶点胶量和位置不准确。纳米压印胶在旋涂后,如果不进行去边处理,由于基片边缘的比表面积大,会增加对纳米压印胶的吸附,在基片边缘形成鼓包,影响压印胶的均匀性。纳米压印胶旋涂后部分纳米压印胶会反弹到基片背面,影响基片背面的洁净度。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供一种桌面型旋涂设备,体积小,集成点胶、去边和背洗等功能单元,可实现自动滴胶功能,保证基片正面胶层的均匀性和背面清洁功能齐全。

在一些实施例中,所述的桌面型旋涂设备包括壳体、托盘单元、点胶单元、去边单元和背洗单元,壳体包括外壳主体和盖板,盖板安装在外壳主体上部,外壳主体内部设置有匀胶腔体;托盘单元安装在壳体内,托盘单元包括基片托盘,基片托盘位于匀胶腔体内,基片托盘用于承载基片;点胶单元安装在盖板上,点胶单元与基片位置对应,点胶单元用于对基片点胶;去边单元安装在壳体上,去边单元与基片的边缘位置对应,去边单元用于去除基片边缘的纳米压印胶;背洗单元安装在外壳主体内,背洗单元用于清洗反弹到基片背面的纳米压印胶。

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