[发明专利]半导体器件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有上表面以及和所述上表面相对的下表面；

凹槽，所述凹槽从所述上表面向下表面的方向延伸，形成在所述基底内部，具有预设深度，所述凹槽具有上开口、内壁以及底面，所述上开口和所述底面正对且所述内壁两端分别与所述上开口和所述底面垂直；

所述凹槽内设置有至少一层第一电极层，所述第一电极层为导电金属材料或导电玻璃材料；

位于所述上表面的上方设置有第二电极层。

2.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述凹槽内还设置有至少一层第一介质层，且第一电极层和第一介质层由底面至上开口方向上依次排列，所述第一电极层和第一介质层的宽度与所述凹槽的直径一致。

3.如权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括功能层，所述功能层位于所述第一介质层的上方或者位于所述基底的上表面的上方。

4.如权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一电极层、第一介质层以及所述功能层的宽度一致。

5.如权利要求4所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极分别布置在所述功能层的两端。

6.如权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述凹槽的预设深度为10纳米-900纳米。

7.一种半导体器件结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供基底，所述基底具有上表面以及和所述上表面相对的下表面；

从所述上表面向下表面的方向进行刻蚀，在所述基底内部形成具有预设深度的凹槽，其中，所述凹槽具有上开口、内壁以及底面，所述上开口和所述底面正对且所述内壁两端分别与所述上开口和所述底面垂直；

在所述凹槽内沉积至少一层第一电极层，所述第一电极层为导电金属材料或导电玻璃材料；

在所述基底的上表面生长第二电极层。

8.如权利要求7所述的半导体器件结构的制造方法，其特征在于，还包括步骤：

在所述凹槽内形成至少一层第一介质层，所述第一介质层位于所述第一电极层的上方；

以及，

在所述第一介质层的上方形成功能层。

9.如权利要求8所述的半导体器件结构的制造方法，其特征在于，采用自对准工艺在所述凹槽内填充所述第一电极层、第一介质层以及所述功能层。

10.如权利要求7所述的半导体器件结构的制造方法，其特征在于，所述从所述上表面向下表面的方向进行刻蚀，在所述基底内部形成具有预设深度的凹槽之前，还包括步骤：

在所述基底上方形成牺牲层，所述牺牲层的厚度10纳米-900纳米；

对应地，

所述凹槽的深度为10纳米-900纳米。