[发明专利]一种多级CTLE发射极电路及芯片在审

专利信息
申请号: 202310232674.3 申请日: 2023-03-06
公开(公告)号: CN116317992A 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 郝凯;张宝馨;赵君伟;罗旭;陈代英;刘梦 申请(专利权)人: 北京全路通信信号研究设计院集团有限公司
主分类号: H03F3/30 分类号: H03F3/30;H03F1/32;H04B1/04
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 王风茹
地址: 100070 北京市丰台区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 多级 ctle 发射极 电路 芯片
【说明书】:

发明公开了一种多级CTLE发射极电路及芯片。该多级CTLE发射极电路包括:级联连接的CTLE电路和均衡输出极电路;均衡输出极电路包括:输出级结构、偏置结构和第一可调结构;输出级结构的输入端与CTLE电路的输出端电连接,输出级结构的输出端作为CTLE发射极电路的输出端;偏置结构连接于输出级结构和第一可调结构之间,偏置结构由偏置电压控制;可调结构用于调整均衡输出极电路的零极点。本发明实施例的技术方案可提供多个零极点,增加补偿位置,提高补偿幅度,解决单级CTLE电路均衡引起的带内不平整问题。

技术领域

本发明涉及芯片电路技术领域,尤其涉及一种多级CTLE发射极电路及芯片。

背景技术

随着信息时代的到来,互联网为人们提供越来越多的信息,同时也要求具有更大传输带宽的宽带网。

针对高速通信电路日益增长的高带宽要求,目前采用的有效方法为级联均衡电路,即连续时间线性均衡器(Continuous Time Linear Equalization,CTLE)级联。但对于非线性电路,电路频域上需要多个补偿位置。然而,CTLE电路无法提供足够的补偿点,CTLE电路本身也会受到带宽的限制,输出能力不足,无法提供大幅度的补偿,并且容易引起电路频域上的带内不平整问题。

发明内容

本发明提供了一种多级CTLE发射极电路及芯片,以提供补偿位置,提高补偿幅度,解决电路频域上的带内不平整问题。

根据本发明的一方面,提供了一种多级CTLE发射极电路,包括:级联连接的CTLE电路和均衡输出极电路;

所述CTLE电路的输入端作为所述多级CTLE发射极电路的输入端,CTLE电路的输出端与所述均衡输出极电路的输入端电连接,所述均衡输出极电路的输出端作为所述CTLE发射极电路的输出端;

所述均衡输出极电路包括:输出级结构、偏置结构和第一可调结构;

所述输出级结构的输入端与所述CTLE电路的输出端电连接,所述输出级结构的输出端作为所述多级CTLE发射极电路的输出端;所述偏置结构连接于所述输出级结构和所述第一可调结构之间,所述偏置结构由偏置电压控制;所述第一可调结构用于调整所述均衡输出极电路的零极点。

可选地,所述CTLE电路级数有多个,多个所述CTLE电路级联连接。

可选地,所述CTLE电路包括:输入级结构、分压结构和第二可调结构;

所述输入级结构的输入端作为所述CTLE电路的输入端,所述分压结构连接于电源电压和所述输入级结构之间,所述分压结构的输出端作为所述CTLE电路的输出端;所述第二可调结构连接于所述输入级结构和接地电压之间。

可选地,所述CTLE电路的输入端包括正相输入端和反相输入端;

所述CTLE电路包括的输入级结构包括:第一晶体管和第二晶体管;所述第一晶体管的控制极与所述正相输入端电连接,所述第二晶体管的控制极与所述反相输入端电连接;

所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第一极均与所述分压结构电连接,所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极均与所述第二可调结构电连接。

可选地,所述CTLE电路的分压结构的输出端为两级分压输出;

所述均衡输出级电路的输出级结构包括:两级分压输入,所述两级分压输入分别与所述两级分压输出电连接。

可选地,所述CTLE电路的分压结构包括:第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;

所述第二电阻和所述第四电阻串联于所述电源电压和所述第一晶体管的第一极之间,所述第二电阻和所述第四电阻的连接点作为第一分压正相输出端,所述第四电阻和所述第一晶体管的第一极的连接点作为第二分压正相输出端;

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