[发明专利]一种N元素调控Ta0.5 在审
| 申请号： | 202310234476.0 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116288204A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王琦瑶;李建亮;李航 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 元素 调控 ta base sub 0.5 | ||
【权利要求书】：
1.一种N元素调控Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜的方法，其特征在于，所述的Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜中x取值范围为0.82~1.02，优选0.93，包括如下步骤：
以Ta靶和W靶作为靶材，采用氩气为溅射气体，氮气为反应气体，通过直流磁控溅射靶材，在基底上获得Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，氮、氩气体的总流量为40 sccm，其中，氮气的体积占比为10~30%。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，基底采用单晶Si(100)衬底或718高温镍基合金。
4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，溅射温度为300±20 ℃，溅射时间为35~40min，Ta靶溅射电流为271 mA，W靶溅射电流为180 mA。
5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，溅射前，在所述基底上沉积80~100nm W2N过渡层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，以W靶作为靶材，采用氩气为溅射气体，氮气为反应气体，通过直流磁控溅射靶材，在基底上获得W2N过渡层。
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