[发明专利]一种TVS二极管生产工艺

权利要求书

1.一种TVS二极管生产工艺，其特征在于：包括以下生产步骤：

S1、材料预备，所述材料预备是对TVS二极管生产所需求材料进行提前准备的步骤；

S2、预处理，所述预处理是对所准备材料进行预处理的步骤；

S3、扩散处理，所述扩散处理是材料完成预处理后进行扩散处理的步骤；

S4、一次加工，所述一次加工是材料完成扩散处理后进行一次加工的步骤；

S5、刻蚀处理，所述刻蚀处理是材料完成一次加工后进行刻蚀处理的步骤；

S6、二次加工，所述二次加工是材料完成刻蚀处理后进行二次加工的步骤；

S7、封装处理，所述封装处理是材料完成二次加工后进行封装处理的步骤。

2.根据权利要求1所述的一种TVS二极管生产工艺，其特征在于：所述步骤S1中，根据TVS二极管生产时所需求的材料预备，按照所需求材料进行选择相应的单晶硅片材料作为原材料，并结合TVS二极管成品所需求的大小，在原材料选择完成后进行分类放置，以便于TVS二极管在生产过程中可以及时使用。

3.根据权利要求1所述的一种TVS二极管生产工艺，其特征在于：所述步骤S2中，对所选择并分类放置的材料进行预处理，观察所选择的单晶硅片原材料表面是否存在受损现象，将存在受损现象的原材料和完好的原材料进行筛分，筛分完成后，利用相关修整仪器对筛分后存在受损现象的原材料进行处理，在受损的原材料经过修整后再次进行观察，再次观察的过程中，利用相关的检测仪器对完成修整的原材料进行检测，将经过修正后表现完好的原材料与依旧存在受损现象的原材料进行筛分，去除经过修整后依旧存在受损现象的原材料；

2.1)观察筛分，所述观察筛分是对所选择的原材料进行是否存在受损现象并对原材料进行筛分的步骤，对完成大小分类放置的原材料进行观察，并按照大小分类放置的措施将存在受损的原材料与完好材料进行筛分；

2.2)仪器修整，所述仪器修整是对完成筛分后存在受损现象的原材料进行修整处理的步骤，对所筛分存在受损的原材料进行修整，利用相关修整仪器对原材料受损处进行修整；

2.3)检测筛分，所述检测筛分是对完成修整处理的受损原材料进行检测筛分的步骤，当存在受损的原材料经过修整处理后，利用相关的检测仪器对修整完成后的原材料进行检测，并在检测的过程中将完好的原材料和依旧存在受损的原材料进行筛分；

2.4)去除受损原材料，所述去除受损原材料是对经过修正处理后依旧存在受损原材料进行去除的步骤，将筛分后依旧存在受损现象的原材料与经过修整后完好的原材料进行分离，并将经过修整处理后完好的原材料放置到初次筛分便处于完好的原材料处。

4.根据权利要求1所述的一种TVS二极管生产工艺，其特征在于：所述步骤S3中，将完成预处理的单晶硅片原材料进行整理，并加入相关的扩散炉中，原材料放进扩散炉中后，启动扩散炉运行，原材料在扩散炉中进行退火扩散处理，直至原材料在扩散炉中完成退火扩散处理，从扩散炉中取出完成退火扩散处理的原材料，在原材料进行退火扩散处理时，需按照原材料大小放置的措施依次进行退火扩散处理，避免大小不同的原材料同时利用扩散炉进行退火扩散处理。

5.根据权利要求1所述的一种TVS二极管生产工艺，其特征在于：所述步骤S4中，对完成退火扩散处理的原材料进行一次加工，对原材料进行光刻加工，启动原材料光刻加工设备对原材料进行蚀刻，对蚀刻完成的原材料进行涂胶处理，启动相关的涂胶机对完成蚀刻的原材料进行涂胶，在原材料涂胶完成后，将涂胶的原材料放置到烘干设备中，启动烘干设备对原材料进行烘干处理，原材料烘干后进行曝光处理，在涂胶后的原材料刻出影子后进行显影和定影处理，在显影和定影的过程中加入相关的显影液和定影液，原材料完成显影和定影处理后，再次放置到烘干设备中进行烘干，使完成显影和定影处理的原材料在烘干设备的内部进行坚膜处理。

6.根据权利要求1所述的一种TVS二极管生产工艺，其特征在于：所述步骤S5中，取出烘干设备内部完成坚膜处理的原材料，对原材料进行刻蚀处理，利用相关的酸液对原材料的表面进行腐蚀处理，原材料表面经过酸液腐蚀后，去除表面吸附的杂质并获取电性品质。