[发明专利]抗高温水蒸气氧化的碳化硅陶瓷连接件及其制法与应用在审
| 申请号： | 202310241115.9 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116003152A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 舒佰坡;单旭;葛芳芳;周小兵;黄庆 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学;中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 650000 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高温 水蒸气 氧化 碳化硅 陶瓷 连接 及其 制法 应用 | ||
1.一种抗高温水蒸气氧化的碳化硅陶瓷连接件，其特征在于：所述碳化硅陶瓷连接件包括至少两个碳化硅陶瓷基体、(Yb，Y)3Si2C2中间层及Cr-Y涂层，所述碳化硅陶瓷连接件是由至少两个碳化硅陶瓷基体通过(Yb，Y)3Si2C2中间层连接形成的，所述Cr-Y涂层设置于碳化硅陶瓷连接件的表面。
2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷连接件，其特征在于：所述(Yb，Y)3Si2C2中间层具有层状结构。
3.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷连接件，其特征在于：所述Cr-Y涂层具有柱状晶结构。
4.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷连接件，其特征在于：所述(Yb，Y)3Si2C2中间层的厚度为5nm～100μm，优选为20nm～5μm。
5.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷连接件，其特征在于：所述以Cr-Y涂层的厚度为5nm～100μm，优选为50nm～20μm。
6.权利要求1-5中任一项所述的抗高温水蒸气氧化的碳化硅陶瓷连接件的制备方法，其特征在于包括：
至少采用真空蒸镀、电弧离子镀、磁控溅射、喷涂中的任一种方式在碳化硅陶瓷基体的连接处表面制备Yb-Y涂层；
采用热压烧结技术使所述Yb-Y涂层与碳化硅陶瓷基体发生原位反应，获得(Yb,Y)3Si2C2中间层，从而使碳化硅陶瓷基体进行连接；
以及，至少采用真空蒸镀、电弧离子镀、磁控溅射、喷涂中的任一种方式在所获工件的表面制备Cr-Y涂层，从而制得抗高温水蒸气氧化的碳化硅陶瓷连接件。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于具体包括：采用电场辅助烧结法使所述Yb-Y涂层与碳化硅陶瓷基体发生原位反应，从而生成(Yb,Y)3Si2C2。
8.权利要求1-5中任一项所述的抗高温水蒸气氧化的碳化硅陶瓷连接件于磁学、光学、航空航天、核能、电子器件或电子通讯领域中的用途。
9.权利要求1-5中任一项所述的抗高温水蒸气氧化的碳化硅陶瓷连接件在抗高温水蒸气氧化中的用途；优选的，所述用途为碳化硅陶瓷连接件在1200℃以上水蒸气环境中抗氧化的用途。
10.一种装置，其特征在于至少包括权利要求1-5中任一项所述的抗高温水蒸气氧化的碳化硅陶瓷连接件。
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