[发明专利]一种电源适配器的场效应管主动桥式整流电路及整流方法

权利要求书

1.一种电源适配器的场效应管主动桥式整流电路，用于将前级交流电路的交流电整流成直流电，并供向后级负载电路，其特征在于，包括微控制器U1、场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS4、电容C1、电容C2、电容C3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4；

场效应管MOS1的栅极与微控制器U1的I/O端P1.1连接，并通过电阻R1与场效应管MOS1的源极连接；

场效应管MOS2的栅极与微控制器U1的I/O端P2.6连接，并通过电阻R2与场效应管MOS2的源极连接；

场效应管MOS3的栅极与微控制器U1的I/O端P0.5连接，并通过电阻R3与场效应管MOS3的源极连接；

场效应管MOS4的栅极与微控制器U1的I/O端P0.1连接，并通过电阻R4与场效应管MOS4的源极连接；

场效应管MOS1的漏极与场效应管MOS4的漏极连接，并连接在微控制器U1的I/O端P2.5上；

场效应管MOS2的漏极与场效应管MOS1的源极连接，并通过自举电容C1连接在微控制器U1的I/O端P1.0上；

场效应管MOS3的漏极与场效应管MOS4的源极连接，并通过自举电容C2连接在微控制器U1的I/O端P0.2上；

其中，

场效应管MOS1的源极与微控制器U1的I/O端P2.4连接，并与前级交流电路的L线连接；场效应管MOS2的源极与微控制器U1的接地端GND连接，并连接到后级负载电路的接地端BD-；微控制器U1的接地端GND与微控制器U1的工作电压端VDD之间通过电容C3连接；场效应管MOS3的源极连接到后级负载电路的接地端BD-；微控制器U1的I/O端P0.3与前级交流电路的N线连接。

2.根据权利要求1所述的一种电源适配器的场效应管主动桥式整流电路，其特征在于，所述场效应管MOS1，场效应管MOS2，场效应管MOS3，场效应管MOS4均为增强型场效应管。

3.根据权利要求1-2任一项所述的一种电源适配器的场效应管主动桥式整流电路，其特征在于，所述前级交流电路为AC输入滤波电路。

4.根据权利要求3所述的一种电源适配器的场效应管主动桥式整流电路，其特征在于，AC输入滤波电路包括X电容CX1、X电容CX2和共模电感LF1。

5.一种整流方法，包括权利要求1-4任一项所述的一种电源适配器的场效应管主动桥式整流电路，其特征在于，

在微控制器U1内部的程序储存器中装载包括正半周期电压识别程序模块、负半周期电压识别程序模块、正半周期250mV压差监测程序模块、正半周期半桥控制程序模块、负半周期250mV压差监测程序模块、负半周期半桥控制程序模块，上述各个程序模块的指令适于由主控处理器加载并执行。

6.根据权利要求5所述的一种整流方法，其特征在于，正半周期250mV压差监测程序模块用于在前级交流电路处在正半周期时：

当检测到微控制器U1的I/O端P2.5和微控制器U1的I/O端P2.4的压差大于250mV时，通过正半周期半桥控制程序模块控制微控制器U1的I/O端P1.1输出使场效应管MOS1处于导通的导通电压，以及控制器U1的I/O端P0.5输出使场效应管MOS3处于导通的导通电压。

7.根据权利要求5所述的一种整流方法，其特征在于，负半周期250mV压差监测程序模块用于在前级交流电路处在负半周期时：

当检测到微控制器U1的I/O端P2.5和微控制器U1的I/O端P0.3的压差大于250mV时，通过负半周期半桥控制程序模块控制微控制器U1的I/O端P2.6输出使场效应管MOS2处于导通的导通电压，以及控制器U1的I/O端P0.1输出使场效应管MOS4处于导通的导通电压。