[发明专利]电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层及制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310253020.9 | 申请日： | 2023-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116243565A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 马雷;田昊;于凯丞;李睿;郝路珍 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;G03F7/30;H01L21/027 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子束 诱导 光刻 生长 绝缘 制备 方法 应用 | ||
1.一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层，其特征在于，由如下制备过程得到：
(1)使用有机溶剂对光刻胶进行溶解稀释；
(2)将稀释过的光刻胶溶液均匀地涂敷在基底表面，通过加热烘干使所述光刻胶溶液固化，形成覆盖于所述基底表面的光刻胶固态薄膜；
(3)利用电子束曝光设备对覆盖有所述光刻胶固态薄膜的所述基底进行电子束辐照，诱导所述光刻胶固态薄膜变性而成为碳质绝缘层；
(4)使用有机溶液对电子束辐照后的所述基底进行清洗，从而将未受到辐照的所述光刻胶固态薄膜洗去，仅在所述基底下留下被电子束辐照后形成的碳质绝缘层。
2.根据权利要求1所述的一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层，其特征在于，步骤(1)中，所述光刻胶为AZ系列光刻胶、PMMA光刻胶、S系列光刻胶中的一种；用于溶解稀释的所述有机溶剂为有机醇类、二甲基亚砜中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层，其特征在于，步骤(1)中，所述光刻胶与所述有机溶剂的体积比为3:(40-100)。
4.根据权利要求1所述的一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层，其特征在于，步骤(2)中，所述基底为氧化铝、二氧化硅、硅、碳化硅、石墨烯中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层，其特征在于，步骤(3)中，所述电子束辐照的电压为20-30KV。
6.根据权利要求1所述的一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层，其特征在于，步骤(3)中，所述电子束辐照的束流为3-50nA。
7.根据权利要求1所述的一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层，其特征在于，步骤(3)中，所述电子束辐照的能量为500-5000C/m2。
8.根据权利要求1所述的一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层，其特征在于，步骤(3)中，所述碳质绝缘层的厚度为10-50nm。
9.一种电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层的制备方法，其特征在于，包括如下制备过程：
(1)使用有机溶剂对光刻胶进行溶解稀释；
(2)将稀释过的光刻胶溶液均匀地涂敷在基底表面，通过加热烘干使所述光刻胶溶液固化，形成覆盖于所述基底表面的光刻胶固态薄膜；
(3)利用电子束曝光设备对覆盖有所述光刻胶固态薄膜的所述基底进行电子束辐照，诱导所述光刻胶固态薄膜变性而成为碳质绝缘层；
(4)使用有机溶液对电子束辐照后的所述基底进行清洗，从而将未受到辐照的所述光刻胶固态薄膜洗去，仅在所述基底下留下被电子束辐照后形成的碳质绝缘层。
10.一种如权利要求1-8中任一项所述电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层的应用，其特征在于，用于石墨烯基场效应管。
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