[发明专利]非挥发性存储器的擦除方法和装置

权利要求书

1.一种非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于，非挥发性存储器的存储阵列中包括多个区块，各所述区块包括多个擦除块，对一个选定擦除块的擦除流程包括如下步骤：

步骤一、完成擦除过程步骤，所述擦除过程步骤包括一次以上的擦除循环步骤，各所述擦除循环步骤中实现对选定区块中的选定擦除块的一次擦除操作；

步骤二、对所述选定擦除块进行过擦除操作；

步骤三、进行第一次修复操作，用于对所述选定区块中受擦除干扰区域内的各存储单元进行修复；

步骤四、进行第二次修复操作，用于对所述选定区块外的非选定区块内的存储单元进行修复；

步骤五、所述擦除流程结束。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：所述非挥发性存储器上电后，会经历一次以上的所述擦除流程；

每一次所述擦除流程中都进行步骤四；或者，仅在设定的固定次数或随机次数对应的所述擦除流程中进行步骤四，次数不等于设定的固定次数或随机次数时所述擦除流程中省略步骤四。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：步骤四设置在步骤二完成之后；或者，步骤四设置步骤二完成之前的步骤一的所述擦除过程步骤中或所述擦除过程步骤完成后。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：每一次的所述擦除流程的步骤四中，所述第二次修复操作对全部所述非选定区块内的所述存储单元进行修复或者对部分所述非选定区块内的所述存储单元进行修复。

5.如权利要求4所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：每一次的所述擦除流程的步骤四中，所述第二次修复操作对一个所述非选定区块内的所述存储单元的修复；各次所述擦除流程的所述第二次修复操作所修复的所述非选定区块的地址不同。

6.如权利要求5所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：各次所述擦除流程的所述第二次修复操作所修复的所述非选定区块的地址设置为：

第一次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址由所述非挥发性存储器上电时形成的随机地址得到或者为固定地址；

当前次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址由上一次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址加1得到；

如果当前次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址达到最大地址，则下一次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址设置为第一次所述擦除流程的步骤四中所述非选定区块的地址。

7.如权利要求6所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：如果各次所述擦除流程的步骤四中所设定的所述非选定区块的地址等于所述选定区块的地址，则步骤四省略。

8.如权利要求6所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：步骤四中，所述第二次修复操作包括如下分步骤：

步骤40、对设置所述非选定区块的地址和所述选定区块的地址进行比较，如果相同则转到步骤44，如果不相同则转到步骤41；

步骤41、对“1”存储单元进行修复；

步骤42、对“0”存储单元进行修复；

步骤43、将所述非选定区块的地址加1；

步骤44、结束所述第二次修复操作。

9.如权利要求8所述的非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于：在部分次数或全部次数的所述擦除流程中，省略步骤42，只对所述“1”存储单元进行修复；

或者，在部分次数或全部次数的所述擦除流程中，省略步骤41，只对所述“0”存储单元进行修复；

或者，在部分次数或全部次数的所述擦除流程中，同时对所述“1”存储单元进行修复和对所述“0”存储单元进行修复，步骤41和步骤42都进行。