[发明专利]一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面

权利要求书

1.一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面，其特征在于，包括：

多个双极化相位独立可调的可重构超表面单元；

每个超表面单元包括微带贴片辐射层(1)、与微带贴片辐射层(1)相贴设置的耦合缝隙地板层(2)、与耦合缝隙地板层(2)相贴设置的微带线调相层(3)及金属反射板(4)；

微带贴片辐射层(1)包括第一介质板及与第一介质板相贴设置的第二介质板，第一介质板与第二介质板上均设置有金属贴片；

耦合缝隙地板层(2)上开设有一工作于TM极化的第一异形缝隙与一个工作于TE极化的第二异形缝隙；

微带线调相层(3)包括相互独立的TE极化调相微带线与TM极化调相微带线。

2.如权利要求1所述的一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面，其特征在于，TE极化调相微带线与TM极化调相微带线的一端均为开路或短路，另一端均通过金属过孔与耦合缝隙地板层(2)相连，TE极化调相微带线与TM极化调相微带线上均集成了多个二极管，所述二极管用于提供1bit相位控制。

3.如权利要求2所述的一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面，其特征在于，金属贴片为方形结构，且第一介质板上的金属贴片边长大于第二介质板上的金属贴片边长。

4.如权利要求2所述的一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面，其特征在于，TE极化调相微带线与TM极化调相微带线上集成了多个PIN二极管，所述PIN二极管切换导通与截止状态时可使得可重构超表面单元具有180°左右反射相位差。

5.如权利要求1所述的一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面，其特征在于，可重构单元利用2^N-1个常规1bit相位量化单元实现准N比特相位量化；所述2^N-1个常规1bit相位量化可重构单元之间依次存在约相位差。

6.如权利要求5所述的一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面，其特征在于，通过调节微带线调相层(3)中微带线尺寸和耦合缝隙地板层(2)中对应缝隙的尺寸，使得所述2^N-1个1bit相位量化可重构单元之间依次存在约相位差。

7.如权利要求1所述的一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面，其特征在于，微带贴片辐射层(1)、耦合缝隙地板层(2)、调节微带线调相层(3)及金属反射板(4)均为正方形的单元，且单元边长一致。

8.如权利要求1所述的一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面，其特征在于，可重构超表面规模可以为M×N阵列，其中M≥2，N≥2。