[发明专利]一种集成布拉格反射器的波导型光电探测器件的制作方法

权利要求书

1.一种集成布拉格反射器的波导型光电探测器件的制作方法，其特征在于操作步骤如下：

（1）在基板上干法刻蚀深槽状的预留空间

所述基板包括依次连接的衬底（1）和有源层（2）；在所述有源层（2）上涂设光刻胶层，确定预留空间区域的位置；

采用电感耦合等离子体刻蚀方法深刻蚀预留空间区域，得到刻蚀深度至衬底（1）上部的预留空间（3）；

（2）制作种子层

采用原子层沉积法在有源层（2）上和预留空间（3）内沉积生长种子层（4）；所述种子层（4）材料为氧化硅或氮化硅；

（3）在种子层上生长薄膜层

采用等离子体增强化学气相沉积法，在种子层上生长薄膜层，所述薄膜层上分别交替生长氧化硅薄膜或氮化硅薄膜，且至少交替生长操作三次；每层薄膜的厚度为中心波长的四分之一除以折射率；

（4）制作集成布拉格反射器的波导型光电探测器件

采用电感耦合等离子体刻蚀机，刻蚀去除多余的薄膜层，保留与水平设置的波导型探测器结构（7）的有源区结构相对应的预留空间（3）内垂直侧壁上的薄膜层，形成呈垂直状态的分布式布拉格反射器，在分布式布拉格反射器上方的有源层（2）上制备波导型探测器（7），制备成集成布拉格反射器的波导型光电探测器件。

2.根据权利要求1中一种集成布拉格反射器的波导型光电探测器件的制作方法，其特征在于：步骤（1）中，所述基板的厚度至少为100um，所述有源层（2）的厚度至少为1um；所述预留空间（3）为立方体，深度为5-25um，长度为20-100um，宽度为15-25um。

3.根据权利要求1中一种集成布拉格反射器的波导型光电探测器件的制作方法，其特征在于：步骤（2）中，在温度300℃的条件下，循环生长种子层（4）300-1000个循环，得到致密的氧化层或者氮化层。

4.根据权利要求1中一种集成布拉格反射器的波导型光电探测器件的制作方法，其特征在于：步骤（3）中，等离子体增强化学气相沉积法的氮化硅生长条件：温度300℃、气压1000mtorr、5%硅烷的流量110sccm、氮气流量700sccm、射频功率20W，每层氮化硅的生长厚度为195nm。

5.根据权利要求1中一种集成布拉格反射器的波导型光电探测器件的制作方法，其特征在于：步骤（3）中，等离子体增强化学气相沉积法的氧化硅生长条件：温度300℃、气压1000mtorr、5%硅烷的流量150sccm，笑气的流量710sccm，每层氧化硅的生长厚度为290nm。

6.根据权利要求1中一种集成布拉格反射器的波导型光电探测器件的制作方法，其特征在于：步骤（4）中，电感耦合等离子体刻蚀条件：刻蚀气体为按体积比3：100由氧气和三氟碘甲烷组成的混合气体、刻蚀气流量105sccm、气压50mTorr、射频功率1500W。