[发明专利]一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法在审
申请号: | 202310264601.2 | 申请日: | 2023-03-17 |
公开(公告)号: | CN116149127A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 张巳旸;王子荣;张剑桥;向炯;张锦宏 | 申请(专利权)人: | 广东中图半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 严慧 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 图形 衬底 及其 光刻 方法 | ||
1.一种掩膜版,其特征在于,用于对平片衬底进行光刻,以在所述平片衬底表面形成多个胶柱以及至少一个空缺位置,所述掩膜版包括:
第一图形区,所述第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案;
至少一个第二图形区,所述第二图形区内包括第二掩膜图案;其中,所述第一掩膜图案不透光,所述第二掩膜图案透光,所述第一掩膜图案用于形成所述多个胶柱,所述第二掩膜图案用于形成所述至少一个空缺位置。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第一图形区位于所述掩膜版的中心,所述第二图形区位于所述第一图形区远离所述掩膜版的中心的至少一侧。
3.根据权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,包括多个所述第二图形区,所述第二图形区均匀围绕在所述第一图形区周围。
4.一种图形化衬底的光刻方法,其特征在于,利用上述权利要求1~3任一项所述的掩膜版完成;
所述光刻方法包括:
提供平片衬底;
在所述平片衬底的一侧表面形成光刻胶层,所述光刻胶层采用正性光刻胶制备;
将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中,并利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光;其中,所述第一掩膜图案不透光,所述第二掩膜图案透光;
对曝光后的所述光刻胶层进行显影,以通过所述第一掩膜图案在所述平片衬底上形成多个胶柱,通过所述第二掩膜图案在所述平片衬底上形成至少一个空缺位置;其中,多个所述胶柱中包括至少一个待观测胶柱,沿所述图形化衬底的至少一个观测方向,所述待观测胶柱从所述空缺位置暴露;所述观测方向为所述待观测胶柱侧壁的任意位置指向所述待观测胶柱底部中心的方向。
5.根据权利要求4所述的光刻方法,其特征在于,所述光刻胶层包括多个边缘相接的曝光场,沿曝光光束照射所述光刻胶层的方向,所述掩膜版的所述第一图形区的投影图形的尺寸与所述光刻胶层的任意所述曝光场的投影图形的尺寸相同;所述曝光场包括至少一个第一曝光场以及多个第二曝光场,所述第二曝光场与所述第一曝光场的任意边缘相接;所述第一曝光场中包括目标区域,所述空缺位置形成于所述目标区域;
将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中,并利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光,包括:
将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中;
调整所述掩膜版和所述平片衬底的相对位置,使得沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向,所述掩膜版的所述第一图形区与所述光刻胶层的所述第二曝光场的投影重合,所述掩膜版的所述第二图形区与所述光刻胶层的所述第一曝光场交叠;其中,沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向,所述第二图形区中的所述第二掩膜图案的投影覆盖所述第一曝光场中的所述目标区域的投影;
控制所述曝光光束的照射范围覆盖所述第一图形区和所述第二图形区,同时对所述第二曝光场以及所述第一曝光场中的所述目标区域进行曝光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中图半导体科技股份有限公司,未经广东中图半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310264601.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种装配式大空间曲面吊顶及其施工方法
- 下一篇:一种多工位全自动平衡机
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备