[发明专利]一种掩膜版、图形化衬底及其光刻方法在审

专利信息
申请号: 202310264601.2 申请日: 2023-03-17
公开(公告)号: CN116149127A 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 张巳旸;王子荣;张剑桥;向炯;张锦宏 申请(专利权)人: 广东中图半导体科技股份有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;G03F7/20
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 严慧
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 掩膜版 图形 衬底 及其 光刻 方法
【权利要求书】:

1.一种掩膜版,其特征在于,用于对平片衬底进行光刻,以在所述平片衬底表面形成多个胶柱以及至少一个空缺位置,所述掩膜版包括:

第一图形区,所述第一图形区内包括阵列排布的多个第一掩膜图案;

至少一个第二图形区,所述第二图形区内包括第二掩膜图案;其中,所述第一掩膜图案不透光,所述第二掩膜图案透光,所述第一掩膜图案用于形成所述多个胶柱,所述第二掩膜图案用于形成所述至少一个空缺位置。

2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第一图形区位于所述掩膜版的中心,所述第二图形区位于所述第一图形区远离所述掩膜版的中心的至少一侧。

3.根据权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,包括多个所述第二图形区,所述第二图形区均匀围绕在所述第一图形区周围。

4.一种图形化衬底的光刻方法,其特征在于,利用上述权利要求1~3任一项所述的掩膜版完成;

所述光刻方法包括:

提供平片衬底;

在所述平片衬底的一侧表面形成光刻胶层,所述光刻胶层采用正性光刻胶制备;

将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中,并利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光;其中,所述第一掩膜图案不透光,所述第二掩膜图案透光;

对曝光后的所述光刻胶层进行显影,以通过所述第一掩膜图案在所述平片衬底上形成多个胶柱,通过所述第二掩膜图案在所述平片衬底上形成至少一个空缺位置;其中,多个所述胶柱中包括至少一个待观测胶柱,沿所述图形化衬底的至少一个观测方向,所述待观测胶柱从所述空缺位置暴露;所述观测方向为所述待观测胶柱侧壁的任意位置指向所述待观测胶柱底部中心的方向。

5.根据权利要求4所述的光刻方法,其特征在于,所述光刻胶层包括多个边缘相接的曝光场,沿曝光光束照射所述光刻胶层的方向,所述掩膜版的所述第一图形区的投影图形的尺寸与所述光刻胶层的任意所述曝光场的投影图形的尺寸相同;所述曝光场包括至少一个第一曝光场以及多个第二曝光场,所述第二曝光场与所述第一曝光场的任意边缘相接;所述第一曝光场中包括目标区域,所述空缺位置形成于所述目标区域;

将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中,并利用所述掩膜版对所述光刻胶层进行曝光,包括:

将所述平片衬底和所述掩膜版置于光刻系统中;

调整所述掩膜版和所述平片衬底的相对位置,使得沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向,所述掩膜版的所述第一图形区与所述光刻胶层的所述第二曝光场的投影重合,所述掩膜版的所述第二图形区与所述光刻胶层的所述第一曝光场交叠;其中,沿所述曝光光束照射所述光刻胶层的方向,所述第二图形区中的所述第二掩膜图案的投影覆盖所述第一曝光场中的所述目标区域的投影;

控制所述曝光光束的照射范围覆盖所述第一图形区和所述第二图形区,同时对所述第二曝光场以及所述第一曝光场中的所述目标区域进行曝光。

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