[发明专利]吸收体以及设置有吸收体的吸收性物品在审
申请号: | 202310272382.2 | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN116370203A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 黑原健志;田代和泉;吉田英聪;木村笙子 | 申请(专利权)人: | 王子控股株式会社 |
主分类号: | A61F13/534 | 分类号: | A61F13/534;A61F13/537;A61F13/53 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 王建国;厉锦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸收体 以及 设置 吸收性 物品 | ||
1.一种吸收体,包括:
基材,所述基材由无纺织物形成并渗透液体;
上SAP层,所述上SAP层布置在所述基材的前表面上并由SAP颗粒形成,SAP是高吸收性聚合物;以及
下SAP层,所述下SAP层布置在所述基材的后表面上并由SAP颗粒形成,SAP是高吸收性聚合物,其中
所述上SAP层通过使得多个SAP颗粒粘附在所述基材的前表面上而形成,
所述下SAP层通过使得多个SAP颗粒粘附在所述基材的后表面上而形成,
根据涡流法测量,所述上SAP层的液体吸收速度为45秒或更低,
所述下SAP层的液体吸收率为35g/g或更高,并且
沿所述基材宽度方向上的中心部分,所述上SAP层布置在所述基材的宽度方向的两侧上,并沿所述基材的纵向方向延伸。
2.根据权利要求1所述的吸收体,其中,在基材的前表面侧上,在宽度方向上的中心部分中,沿布置在两侧上的所述上SAP层形成凹槽。
3.根据权利要求1或2所述的吸收体,包括:
第一无纺布片,所述第一无纺布片布置成覆盖所述基材的前表面;以及
第二无纺布片,所述第二无纺布片布置成覆盖所述基材的后表面。
4.根据权利要求3所述的吸收体,包括:
包芯片,所述包芯片覆盖吸收性复合体的外周,所述吸收性复合体配置成包括所述基材、所述上SAP层、所述下SAP层、所述第一无纺布片和所述第二无纺布片。
5.一种吸收由穿戴者排出的液体的吸收性物品,所述吸收性物品包括:
不透液的背片;
透液的顶片,所述透液的顶片接合到所述背片;以及
根据权利要求1至4中任一项所述的吸收体,所述吸收体布置在所述背片与所述顶片之间。
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