[发明专利]集成芯片结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片结构，包括：

衬底；

一个或多个下部互连件，设置在位于所述衬底上方的下部层间介电(ILD)结构内；

等离子体诱导损伤(PID)缓解层，设置在所述下部层间介电结构上方，所述等离子体诱导损伤缓解层包括包含金属的多孔结构；以及

第一上部互连件，由位于所述等离子体诱导损伤缓解层上方的上部层间介电结构横向地围绕，其中，所述第一上部互连件从所述等离子体诱导损伤缓解层上方延伸至所述一个或多个下部互连件。

2.根据权利要求1所述的集成芯片结构，还包括：

金属氮化物层，垂直地位于所述等离子体诱导损伤缓解层和所述上部层间介电结构之间，其中，所述第一上部互连件从所述上部层间介电结构内延伸至穿过所述等离子体诱导损伤缓解层和所述金属氮化物层。

3.根据权利要求2所述的集成芯片结构，其中，所述等离子体诱导损伤缓解层具有比所述金属氮化物层低的氮浓度。

4.根据权利要求2所述的集成芯片结构，其中，所述等离子体诱导损伤缓解层具有在所述等离子体诱导损伤缓解层的最外侧壁之间延伸的基本上平滑的上表面。

5.根据权利要求1所述的集成芯片结构，其中，所述等离子体诱导损伤缓解层包括氮化钛或氮化钽。

6.根据权利要求5所述的集成芯片结构，其中，所述等离子体诱导损伤缓解层具有在1至1.5之间的范围内的金属与氮的比率。

7.根据权利要求1所述的集成芯片结构，还包括：

介电层，布置在所述下部层间介电结构和所述等离子体诱导损伤缓解层之间，其中，所述第一上部互连件从直接位于所述等离子体诱导损伤缓解层之上连续地延伸至物理接触所述一个或多个下部互连件。

8.根据权利要求1所述的集成芯片结构，还包括：

介电层，布置在所述上部层间介电结构上方；

第二等离子体诱导损伤缓解层，设置在所述介电层上方，所述第二等离子体诱导损伤缓解层包括具有第二金属和氮的第二多孔结构；以及

第三上部互连件，设置在位于所述第二等离子体诱导损伤缓解层上方的附加上部层间介电结构内，所述第三上部互连件从所述附加上部层间介电结构内延伸至穿过所述第二等离子体诱导损伤缓解层和所述介电层。

9.一种集成芯片结构，包括：

一个或多个下部互连件，设置在位于衬底上方的下部层间介电(ILD)结构内；

等离子体诱导损伤(PID)缓解层，设置在所述下部层间介电结构上方，其中，所述等离子体诱导损伤缓解层包括金属氮化物，所述金属氮化物具有大于1的金属与氮的比率；以及

第一上部互连件，设置在位于所述等离子体诱导损伤缓解层上方的上部层间介电结构内，所述第一上部互连件延伸穿过所述上部层间介电结构和所述等离子体诱导损伤缓解层以接触所述一个或多个下部互连件。

10.一种形成集成芯片结构的方法，包括：

在位于衬底上方的下部层间介电(ILD)结构内形成一个或多个下部互连件；

在所述下部层间介电结构上方形成等离子体诱导损伤(PID)缓解层，其中，所述等离子体诱导损伤缓解层包括在第一压力下形成的金属氮化物；

在所述等离子体诱导损伤缓解层上方形成金属氮化物层，其中，所述金属氮化物层在小于所述第一压力的第二压力下形成；

图案化所述等离子体诱导损伤缓解层和所述金属氮化物层以形成上部互连开口；以及

在所述上部互连开口内和所述金属氮化物层上方形成导电材料。