[发明专利]一种S机制氧化铟/镉铟硫异相/异质结纳米片光催化剂及其制备方法在审
| 申请号： | 202310275944.9 | 申请日： | 2023-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN116212896A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王德宝;吴笑群;荆博洋;孙瑞鸿;宋彩霞 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;C01B3/04;C02F1/30;A01N59/02;A01N59/16;A01P1/00;A01P3/00;B01D53/58;B01D53/86;B01D53/52;B01D53/72;C02F101/30 |
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| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 机制 氧化 镉铟硫异相 异质结 纳米 光催化剂 及其 制备 方法 | ||
1.一种S机制氧化铟/镉铟硫异相/异质结纳米片光催化剂及其制备方法，其特征在于，所述氧化铟/镉铟硫异相/异质结，是由六方结构氧化铟rh-In2O3和立方结构氧化铟c-In2O3两种晶型氧化铟形成rh/c-In2O3异相结，并与镉铟硫CdIn2S4复合构成rh/c-In2O3/CdIn2S4异相/异质结，异相/异质结中光生载流子的迁移遵循S机制；所述S机制rh/c-In2O3/CdIn2S4异相/异质结纳米片通过液态前驱体同步热解、氧化、硫化复合得到，是由多层超薄薄片堆叠耦合组成，赋予纳米片更多的暴露活性位点，所述光催化剂具有更高的电荷迁移效率和强氧化还原能力，其制备方法具体包括下述步骤：
(1)称取0.1-5.0gCdCl2·2.5H2O、0.1g-5.0g InCl3和0.5-10g尿素，然后置于油浴中，在60-80℃下加热搅拌10-40min后，混合物形成透明且均匀的液体；
(2)向上述步骤(1)得到的液体中加入0.1-5.0g硫脲，搅拌0.5-2h后形成均匀的黄色液体；
(3)将步骤(2)得到的黄色液体转移到瓷舟中，然后将瓷舟置于管式炉内，以1-15℃/min的速度用氮气作为保护气体加热至550-850℃，并在该温度下持续保温1-4h，然后冷却至室温后分别用水和乙醇洗涤三遍，在40-60℃下干燥，得到S机制rh/c-In2O3/CdIn2S4异相/异质结纳米片光催化剂。
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