[发明专利]一种非接触式方阻测量传感器

权利要求书

1.一种非接触式方阻测量传感器，其特征在于，包括监测探头、信号处理电路和辅助探头，所述监测探头与所述信号处理电路连接；

所述监测探头，用于获取待测硅片在移动过程中的多个振荡信号，并将所述振荡信号实时传输至所述信号处理电路；

所述辅助探头，用于增强每个所述振荡信号的信号强度；

所述信号处理电路，用于接收信号强度增强后的振荡信号，根据所述信号强度增强后的振荡信号获得电压信号，并根据所述电压信号获得所述振荡信号对应的目标方阻值。

2.根据权利要求1所述的一种非接触式方阻测量传感器，其特征在于，所述监测探头包括振荡线圈L1和运放A1，所述运放A1的第2引脚与振荡线圈L1之间还连接有电阻R8，所述振荡线圈L1的一端与电阻R8的一端之间还连接有电容C7，所述电容C7的另一端接地；所述振荡线圈L1的另一端连接有三极管Q3的C极，所述三极管Q3的e极连接电容C8的一端，所述电容C8的另一端连接有三极管Q4的e极，所述三极管Q4的c极接地，且所述三极管Q4的b极和所述三极管Q3的b极分别连接电阻R7的两端，所述三极管Q3的b极还分别连接电阻R5的一端和电阻R6的一端，所述电阻R5的另一端接地，所述电阻R6的另一端连接-12v；

所述三极管Q4的b极还连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端分别连接电阻R4的一端和三极管Q2的c极；所述三极管Q2的e极和所述三极管Q2的b极分别连接电阻R1的两端，所述三极管Q2的e极还连接-5v；所述电阻R4的另一端连接三极管Q1的b极，所述三极管Q1的b连接+5v，所述三极管Q1的e极连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地；所述振荡线圈L1的两端分别与电容C4的两端和电容C5的两端连接，所述电容C4和所述电容C5的连接点与所述三极管Q1的e极连接；

所述运放A1的第2引脚连接电阻R12的一端和电容C10的一端，所述运放A1的第6引脚连接电阻R12的另一端和电容C10的另一端，所述运放A1的第6引脚还连接有排插CN-NC1。

3.根据权利要求1所述的一种非接触式方阻测量传感器，其特征在于，所述辅助探头包括电容C14、电容C15和振荡线圈L2；所述电容C14的一端和所述电容C15的一端相连，所述电容C14的另一端和所述电容C15的另一端分别连接所述振荡线圈L2的两端。

4.根据权利要求1所述的一种非接触式方阻测量传感器，其特征在于，所述信号处理电路包括信号放大电路、AD转换电路和MCU控制单元，所述信号放大电路的输入端连接所述监测探头，所述信号放大电路的输出端连接所述AD转换电路的输入端，所述AD转换电路的输出端连接所述MCU控制单元；

所述信号放大电路，用于接收振荡信号，根据所述振荡信号的变化获得电压信号并进行放大处理，得到放大后的电压信号，并将所述放大后的电压信号传输至所述AD转换电路；

所述AD转换电路，用于接收所述放大后的电压信号，将模拟量形式的所述放大后的电压信号转化为数字量形式的所述放大后的电压信号，并将所述数字量形式的放大后的电压信号传输至所述MCU控制单元；

所述MCU控制单元，用于接收所述数字量形式的放大后的电压信号，并根据所述数字量形式的放大后的电压信号得到对应的目标方阻值。

5.根据权利要求4所述的一种非接触式方阻测量传感器，其特征在于，所述传感器还包括温度监测电路，所述温度监测电路包括RTD电阻和RTD电路，所述RTD电阻的输出端与所述RTD电路的输入端连接，所述RTD电路的输出端连接所述MCU控制单元；

所述MCU控制单元，还用于接收所述温度监测电路获取的线圈温度信号，根据所述线圈温度信号得到线圈温度值，并根据线圈温度值和预置温度补偿模型对所述目标方阻值进行修正，得到与所述目标方阻值对应的修正方阻值。