[发明专利]稳压器、芯片和电子设备在审

专利信息
申请号: 202310276414.6 申请日: 2023-03-17
公开(公告)号: CN116501118A 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 刘珍超;胡康 申请(专利权)人: 上海艾为电子技术股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 代理人: 汤金燕
地址: 201100 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 稳压器 芯片 电子设备
【权利要求书】:

1.一种稳压器,其特征在于,所述稳压器包括误差放大模块、功率管、反馈网络和负载模块;

所述误差放大模块的第一输入端用于接入基准电压,第二输入端连接所述反馈网络的输出端,输出端连接所述功率管的栅极,所述功率管的源极连接设定电源,漏极分别连接所述反馈网络的第一端和所述负载模块的第一端;

所述功率管的漏极作为所述稳压输出端,用于进行稳压输出;

所述反馈网络用于对所述稳压输出端的输出电压进行采样,调节采样得到的电压,向所述误差放大模块的第二输入端输出反馈电压;

所述误差放大模块用于降低静态电流,在重载下跟随负载模块对应的负载增大场景,调整电流,以驱动所述功率管;

所述负载模块用于模拟预设的应用场景。

2.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,所述误差放大模块包括电压产生单元、第一增益单元、第二增益单元和补偿单元;

所述电压产生单元用于将所述设定电源提供的外部电压从高压域转换成位于低压域的所述参考电压;

所述第一增益单元用于对所述基准电压和所述反馈网络输出的反馈电压进行第一级增益处理;

所述第二增益单元用于对第一级增益处理后的电压信号进行第二级增益处理;

所述补偿单元用于调节所述误差放大模块在轻载和重载下的零点,从而补偿极点的变化。

3.根据权利要求2所述的稳压器,其特征在于,所述电压产生单元包括第一稳压二极管、第二稳压二极管、第一电阻和第一晶体管;

所述第一稳压二极管的输入端接地、输出端分别连接所述第一晶体管的源极和所述第一增益单元的电流提供端,所述第二稳压二极管的输入端接地,输出端分别连接所述第一电阻的第一端和所述第一晶体管的栅极,所述第一电阻的第二端和所述第一晶体管的漏极分别连接所述设定电源,所述第一晶体管的源极还用于输出所述参考电压。

4.根据权利要求2所述的稳压器,其特征在于,所述第一增益单元包括电流源、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管;

所述电流源的输入端为所述第一增益单元的电流提供端,输出端分别连接所述第二晶体管的源极和所述第三晶体管的源极,所述第二晶体管的栅极用于接入所述基准电压,漏极分别连接所述第四晶体管的漏极、所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极,所述第三晶体管的栅极用于接入所述反馈电压,漏极分别连接所述第五晶体管的漏极、所述第二增益单元的第一端和所述补偿单元的第一端,所述第四晶体管的源极和所述第五晶体管的源极分别接地。

5.根据权利要求2所述的稳压器,其特征在于,所述补偿单元包括第二电阻和第一电容;所述第二电阻的第一端为所述补偿单元的第一端,第二端通过所述第一电容接地。

6.根据权利要求2所述的稳压器,其特征在于,所述第二增益单元包括第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第三稳压二极管和整流二极管;

所述第六晶体管的栅极为所述第二增益单元的第一端,源极接地,漏极连接所述第七晶体管的源极,所述第七晶体管的栅极用于接入所述参考电压,漏极分别连接所述第八晶体管的漏极、所述第八晶体管的栅极和所述功率管的输入端,所述第八晶体管的源极通过所述第三电阻连接所述设定电源,所述第四电阻的第一端连接所述设定电源,第二端通过所述整流二极管连接所述功率管的输入端,所述第三稳压二极管的输入端所述功率管的输入端,输出端通过所述第五电阻连接所述设定电源。

7.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,所述反馈网络包括第六电阻、第七电阻和第二电容;

所述第六电阻和所述第二电容并联在所述稳压输出端和所述反馈网络的输出端之间,所述第七电阻的第一端为所述反馈网络的输出端,第二端接地。

8.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,所述负载模块采用陶瓷电容实现。

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