[发明专利]银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用

说明书

本发明涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层，得到第一复合层，氧化物层选自二氧化硅层或氧化锌层；将第一复合层进行热等静压处理，得到第二复合层；在第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜，并去掉金属基板，得到第三复合层；提供透明导电层，透明导电层包括层叠设置的透明衬底和银纳米线层，将第三复合层转印至银纳米线层的表面，并剥离有机硅离型膜，得到预处理导电薄膜；将预处理导电薄膜进行冷等静压处理，得到银纳米线透明导电薄膜。本发明制备方法能够显著提高银纳米线透明导电薄膜可靠性，同时保证银纳米线透明导电薄膜具有高透过率。

技术领域

本发明涉及透明导电薄膜技术领域，特别是涉及一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用。

背景技术

银纳米线透明导电薄膜不仅光电性能优异，而且制备工艺简单，具有易实现大面积成膜、可弯折以及价格低廉等优势，是铟锡氧化物（ITO）薄膜的最佳替代产品，可广泛应用于触控、显示、光伏、除霜除雾玻璃、防电磁干扰透明窗等领域。当银纳米线透明导电薄膜用于加热领域时，对其热稳定性和化学稳定性要求较高，需要在其表面沉积一层保护层，以防止银纳米线的氧化和表面原子扩散。

采用旋涂、喷涂或者涂布等传统湿法工艺制备的保护层致密性较差，透水率和透氧率难以达到10^-4的数量级，从而在通电加热时，极易导致银纳米线透明导电薄膜性能失效，可靠性不佳。并且，湿法工艺制备的膜层均匀性难以控制，膜层过厚不仅会影响银纳米线透明导电薄膜的加热性能，而且会降低银纳米线透明导电薄膜的透过率。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用；所述制备方法能够显著提高银纳米线透明导电薄膜可靠性，同时，保证银纳米线透明导电薄膜具有高透过率。

一种银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层，得到第一复合层，其中，所述氧化物层选自二氧化硅层或者氧化锌层；

将所述第一复合层进行热等静压处理，得到第二复合层；

在所述第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜，并去掉所述金属基板，得到第三复合层；

提供透明导电层，所述透明导电层包括层叠设置的透明衬底和银纳米线层，将所述第三复合层转印至所述透明导电层的银纳米线层表面，并剥离所述有机硅离型膜，得到预处理导电薄膜；

将所述预处理导电薄膜进行冷等静压处理，得到银纳米线透明导电薄膜。

在其中一个实施例中，采用磁控溅射法在金属基板表面沉积氧化物层的步骤中，所述氧化物层的厚度为30μm-60μm。

在其中一个实施例中，所述热等静压处理的温度为1000℃-1200℃，压力为100MPa-200MPa，时间为1h-2h。

在其中一个实施例中，在所述第二复合层的氧化物层表面设置有机硅离型膜的步骤中，设置有机硅离型膜的方式选自加压贴合，所述加压贴合的压力为10MPa-15MPa。

在其中一个实施例中，所述加压贴合的压力为10MPa-15MPa。

在其中一个实施例中，去掉所述金属基板的方法选自湿法刻蚀。

在其中一个实施例中，所述透明导电层采用硅烷偶联剂与银纳米线的混合液沉积于透明衬底的任一表面得到。

在其中一个实施例中，在混合液中，所述硅烷偶联剂与所述银纳米线的质量比为1:10-1:15。

在其中一个实施例中，所述冷等静压处理的压力为100MPa-200MPa，时间为10min-15min。