[发明专利]MEMS谐振器阵列结构

权利要求书

1.一种MEMS谐振器阵列结构，包括芯片衬底上的至少一对相耦合的MEMS谐振器，其特征在于：

每一所述MEMS谐振器均连接同一中心锚点，所述MEMS谐振器包括用于振动的振动部和对称设于所述振动部上的第一弹性支撑梁和第二弹性支撑梁，所述第一弹性支撑梁连接所述中心锚点，所述第二弹性支撑梁设有用于平衡对应所述MEMS谐振器的质量分布的虚拟锚点。

2.如权利要求1所述的MEMS谐振器阵列结构，其特征在于，同一所述MEMS谐振器的所述第一弹性支撑梁和所述第二弹性支撑梁的轴向中心线在同一直线上，且该直线位于所述振动部的中点。

3.如权利要求1所述的MEMS谐振器阵列结构，其特征在于，所述振动部包括环状振子以及弹性耦合梁，任一所述环状振子至少对应连接两个所述弹性耦合梁，且连接同一所述环状振子的所述弹性耦合梁分别通过所述第一弹性支撑梁与所述中心锚点连接。

4.如权利要求3所述的MEMS谐振器阵列结构，其特征在于，至少一个环状振子和/或至少一个弹性耦合梁设有减重结构，所述减重结构包括减重孔和/或减重槽。

5.如权利要求3所述的MEMS谐振器阵列结构，其特征在于，所述环状振子与所述弹性耦合梁一体连接，且所述环状振子与所述弹性耦合梁的连接处设有弧形过渡结构。

6.如权利要求3所述的MEMS谐振器阵列结构，其特征在于，设于所述第二弹性支撑梁一端的所述虚拟锚点与所述弹性耦合梁、所述环状振子以及所述芯片衬底均保持有距离。

7.如权利要求3所述的MEMS谐振器阵列结构，其特征在于，还包括驱动电极以及感测电极，所述驱动电极和所述感测电极相对设置于至少一个所述MEMS谐振器的两相对侧。

8.如权利要求7所述的MEMS谐振器阵列结构，其特征在于，所述虚拟锚点的外侧设置有至少一个用于检测所述虚拟锚点的振动频率的所述感测电极。

9.如权利要求1至8任一项所述的MEMS谐振器阵列结构，其特征在于，若干个所述MEMS谐振器绕设于所述中心锚点并形成几何形状，设所述MEMS谐振器的数量为N，则N＝12+(n-1)*8，其中，n为大于或等于1的整数。

10.一种MEMS谐振器阵列结构，其特征在于：包括呈十字结构延展的中心锚点以及呈阶梯状绕设于所述中心锚点外侧的若干个MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括环状振子以及对应连接相邻的所述环状振子的弹性耦合梁，所述弹性耦合梁的中点处对称连接有第一弹性支撑梁和第二弹性支撑梁，所述第一弹性支撑梁的一端连接所述中心锚点，所述第二弹性支撑梁设有用于平衡对应所述MEMS谐振器的质量分布的虚拟锚点，所述虚拟锚点与所述环状振子以及所述弹性耦合梁保持有距离。